| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| §1-1 薄膜和薄膜材料的发展 | 第8页 |
| §1-2 非晶硅薄膜 | 第8-13页 |
| 1-2-1 非晶硅薄膜的结构及模型 | 第8-9页 |
| 1-2-2 非晶硅薄膜的能带结构 | 第9-10页 |
| 1-2-3 非晶硅材料的光致衰退及相关模型 | 第10页 |
| 1-2-4 非晶硅薄膜的应用 | 第10-13页 |
| §1-3 微晶硅薄膜 | 第13-14页 |
| §1-4 其余两种常见的硅薄膜 | 第14-17页 |
| 1-4-1 多晶硅薄膜 | 第14-16页 |
| 1-4-2 纳米晶硅薄膜 | 第16-17页 |
| §1-5 化学反应速率对所得硅薄膜种类的影响 | 第17页 |
| §1-6 本文主要研究内容和研究特色 | 第17-19页 |
| 第二章 硅薄膜的制备工艺及生长原理 | 第19-30页 |
| §2-1 非晶硅、微晶硅的制备方法 | 第19-20页 |
| 2-1-1 射频增强等离子体化学气相沉积法(RF-PECVD) | 第19页 |
| 2-1-2 甚高频等离子体增强化学气相沉积系统(VHF-PECVD ) | 第19-20页 |
| 2-1-3 介质层阻挡放电增强化学气相沉积法(DBD-PECVD) | 第20页 |
| 2-1-4 微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(MWECR-PECVD) | 第20页 |
| 2-1-5 化学气相沉积的优缺点 | 第20页 |
| §2-2 等离子体化学气相沉积技术及其工作原理 | 第20-24页 |
| 2-2-1 等离子体 | 第20-22页 |
| 2-2-2 本实验使用的PECVD系统 | 第22-23页 |
| 2-2-3 本实验使用的PECVD设备主要性能指标 | 第23-24页 |
| §2-3 PECVD法沉积非晶硅薄膜的生长过程 | 第24-27页 |
| 2-3-1 PECVD中的等离子体反应 | 第24-25页 |
| 2-3-2 非晶硅的沉积与生长过程 | 第25-27页 |
| §2-4 微晶硅薄膜的生长动力学模型 | 第27-30页 |
| 2-4-1 微晶硅薄膜的生长模型 | 第27-29页 |
| 2-4-2 PECVD沉积微晶硅薄膜的生长动力学过程 | 第29-30页 |
| 第三章 实验设计与测试方法 | 第30-35页 |
| §3-1 衬底和气源的选取 | 第30-31页 |
| 3-1-1 衬底材料的选取 | 第30页 |
| 3-1-2 硅源气体的选取 | 第30-31页 |
| §3-2 实验设计 | 第31-32页 |
| 3-2-1 衬底的清洗 | 第31页 |
| 3-2-2 实验步骤 | 第31-32页 |
| 3-2-3 沉积参数范围 | 第32页 |
| §3-3 分析与测试方法 | 第32-35页 |
| 3-3-1 X射线衍射(XRD) | 第32-33页 |
| 3-3-2 激光喇曼光谱(Raman) | 第33-34页 |
| 3-3-3 扫描电子显微镜(SEM) | 第34页 |
| 3-3-4 透射电镜(TEM) | 第34-35页 |
| 第四章 沉积温度（衬底温度）对硅薄膜的影响 | 第35-41页 |
| §4-1 沉积温度（衬底温度）对薄膜沉积速率的影响 | 第36-37页 |
| §4-2 衬底温度对薄膜结构的影响 | 第37-39页 |
| 4-2-1 XRD的分析 | 第37-38页 |
| 4-2-2 Raman的分析 | 第38-39页 |
| 4-2-3 TEM的分析 | 第39页 |
| §4-3 小结 | 第39-41页 |
| 第五章 硅烷含量（硅烷浓度）对硅薄膜的影响 | 第41-49页 |
| §5-1 不同硅烷含量下的参数设计 | 第41-42页 |
| §5-2 薄膜的 Raman 光谱分析 | 第42-45页 |
| §5-3 硅烷含量对沉积速率的影响 | 第45-47页 |
| §5-4 薄膜的TEM分析 | 第47-48页 |
| §5-5 小结 | 第48-49页 |
| 第六章 射频功率对硅薄膜的影响 | 第49-53页 |
| §6-1 射频功率对沉积速率的影响 | 第49-50页 |
| §6-2 沉积时间对沉积速率的影响 | 第50-52页 |
| §6-3 反应气压对沉积速率的影响 | 第52页 |
| §6-4 小结 | 第52-53页 |
| 第七章 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第59页 |
