| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 自旋电子学的背景与发展 | 第10-11页 |
| 1.2 热自旋电子学的发展 | 第11-12页 |
| 1.3 热电效应 | 第12-16页 |
| 1.4 本文的研究目的 | 第16-18页 |
| 2 基于具有自旋半导体特性的硅烯纳米带同质结的自旋塞贝克效应及自旋塞贝克二极管效应的研究 | 第18-34页 |
| 2.1 硅烯纳米带的研究背景 | 第18-19页 |
| 2.2 器件模型和研究方法 | 第19-20页 |
| 2.3 基于类锯齿型硅烯纳米带(STSINRS)同质结热自旋输运性质的研究 | 第20-24页 |
| 2.4 基于STSINRS宽度的奇偶效应 | 第24-27页 |
| 2.5 基于类“T”字型硅烯纳米带(TSINRS)同质结的热自旋输运性质 | 第27-32页 |
| 2.6 本章小结 | 第32-34页 |
| 3 基于具有自旋半导体特性的石墨烯纳米带同质结的热自旋输运性质的研究 | 第34-45页 |
| 3.1 石墨烯纳米带的研究背景 | 第34-36页 |
| 3.2 计算方法和参数设定 | 第36-37页 |
| 3.3 基于石墨烯纳米带(5,5)-ZGNRS同质结的自旋塞贝克效应 | 第37-40页 |
| 3.4 基于(5,5)-ZGNRS同质结门电压调控的热自旋输运性质 | 第40-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 4 全文总结和展望 | 第45-47页 |
| 4.1 全文总结 | 第45-46页 |
| 4.2 下一步工作和展望 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-53页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间已发表或正在评审的学术论文 | 第53页 |
