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单晶硅埚底料的电子束提纯工艺研究

摘要第2-3页
Abstract第3-4页
1 绪论第7-26页
    1.1 光伏产业第7-8页
    1.2 硅材料太阳能电池第8-17页
        1.2.1 太阳能级硅制备第9-13页
        1.2.2 太阳能电池硅锭制备第13-16页
        1.2.3 单晶硅埚底料及硅废料再生第16-17页
    1.3 电子束熔炼第17-23页
        1.3.1 电子束熔炼原理、特点及应用第17-19页
        1.3.2 电子束提纯多晶硅的杂质去除方式第19-21页
        1.3.3 电子束提纯多晶硅的研究现状第21-23页
    1.4 评价与检测第23-24页
        1.4.1 概述第23页
        1.4.2 检测原理及方法第23-24页
        1.4.3 影响因素研究现状第24页
    1.5 本课题研究的目的与内容第24-26页
2 实验设备及方法第26-36页
    2.1 电子束熔炼设备第26-29页
        2.1.1 设备概述第26页
        2.1.2 设备各部分构构成第26-29页
    2.2 材料分析与评价设备第29-31页
        2.2.1 ICP-AES第29页
        2.2.2 ICP-MS第29-30页
        2.2.3 少子寿命检测仪第30-31页
        2.2.4 电阻率测试仪第31页
    2.3 实验方法第31-36页
        2.3.1 实验原料第31-32页
        2.3.2 实验过程第32-34页
        2.3.3 样品制备与检测第34-36页
3 提纯硅锭电学性能与杂质含量的相互关系第36-45页
    3.1 提纯硅锭的成分分析第36-37页
    3.2 电阻率与杂质含量的关系第37-40页
    3.3 少子寿命与杂质含量的关系第40-42页
    3.4 提纯硅锭高杂区切割线的确定第42-43页
    3.5 本章小结第43-45页
4 电子束提纯单晶硅埚底料的工艺优化第45-54页
    4.1 熔炼时间对提纯效果的影响第45-47页
    4.2 冷却强度对提纯效果的影响第47-49页
    4.3 降束工艺对提纯效果的影响第49-51页
    4.4 冷却强度结合降束工艺对提纯工艺的影响第51-53页
    4.5 本章小结第53-54页
结论第54-55页
参考文献第55-59页
攻读硕士学位期间发表学术论文专利情况第59-60页
致谢第60-62页

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