单晶硅埚底料的电子束提纯工艺研究
| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 1 绪论 | 第7-26页 |
| 1.1 光伏产业 | 第7-8页 |
| 1.2 硅材料太阳能电池 | 第8-17页 |
| 1.2.1 太阳能级硅制备 | 第9-13页 |
| 1.2.2 太阳能电池硅锭制备 | 第13-16页 |
| 1.2.3 单晶硅埚底料及硅废料再生 | 第16-17页 |
| 1.3 电子束熔炼 | 第17-23页 |
| 1.3.1 电子束熔炼原理、特点及应用 | 第17-19页 |
| 1.3.2 电子束提纯多晶硅的杂质去除方式 | 第19-21页 |
| 1.3.3 电子束提纯多晶硅的研究现状 | 第21-23页 |
| 1.4 评价与检测 | 第23-24页 |
| 1.4.1 概述 | 第23页 |
| 1.4.2 检测原理及方法 | 第23-24页 |
| 1.4.3 影响因素研究现状 | 第24页 |
| 1.5 本课题研究的目的与内容 | 第24-26页 |
| 2 实验设备及方法 | 第26-36页 |
| 2.1 电子束熔炼设备 | 第26-29页 |
| 2.1.1 设备概述 | 第26页 |
| 2.1.2 设备各部分构构成 | 第26-29页 |
| 2.2 材料分析与评价设备 | 第29-31页 |
| 2.2.1 ICP-AES | 第29页 |
| 2.2.2 ICP-MS | 第29-30页 |
| 2.2.3 少子寿命检测仪 | 第30-31页 |
| 2.2.4 电阻率测试仪 | 第31页 |
| 2.3 实验方法 | 第31-36页 |
| 2.3.1 实验原料 | 第31-32页 |
| 2.3.2 实验过程 | 第32-34页 |
| 2.3.3 样品制备与检测 | 第34-36页 |
| 3 提纯硅锭电学性能与杂质含量的相互关系 | 第36-45页 |
| 3.1 提纯硅锭的成分分析 | 第36-37页 |
| 3.2 电阻率与杂质含量的关系 | 第37-40页 |
| 3.3 少子寿命与杂质含量的关系 | 第40-42页 |
| 3.4 提纯硅锭高杂区切割线的确定 | 第42-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-45页 |
| 4 电子束提纯单晶硅埚底料的工艺优化 | 第45-54页 |
| 4.1 熔炼时间对提纯效果的影响 | 第45-47页 |
| 4.2 冷却强度对提纯效果的影响 | 第47-49页 |
| 4.3 降束工艺对提纯效果的影响 | 第49-51页 |
| 4.4 冷却强度结合降束工艺对提纯工艺的影响 | 第51-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文专利情况 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
