摘要 | 第3-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第10-24页 |
1.1 引言 | 第10页 |
1.2 声表面波器件的应用与发展 | 第10-14页 |
1.2.1 声表面波器件在通讯领域的发展 | 第12-13页 |
1.2.2 声表面波器件在传感器领域的发展 | 第13-14页 |
1.2.3 声表面波器件在微流体领域的发展 | 第14页 |
1.3 固体中弹性波的传播 | 第14-17页 |
1.3.1 非压电晶体中弹性波的传播 | 第14-16页 |
1.3.2 压电晶体中弹性波的传播 | 第16-17页 |
1.4 压电材料 | 第17-19页 |
1.5 ZnO薄膜材料的特性与应用 | 第19-21页 |
1.6 有限元分析方法 | 第21-22页 |
1.7 研究内容、意义以及创新点 | 第22-24页 |
第二章 ZnO压电薄膜的生长及其表征方法 | 第24-31页 |
2.1 薄膜生长机理 | 第24-26页 |
2.2 ZnO薄膜制备方法 | 第26-28页 |
2.2.1 金属有机化学气相沉积法 | 第26页 |
2.2.2 分子束外延 | 第26-27页 |
2.2.3 溶胶-凝胶法 | 第27页 |
2.2.4 磁控溅射法 | 第27-28页 |
2.3 ZnO薄膜的表征方法 | 第28-30页 |
2.3.1 X射线衍射仪 | 第28-29页 |
2.3.2 扫描电子显微镜 | 第29页 |
2.3.3 原子力显微镜(AFM) | 第29-30页 |
2.4 本章小结与实验计划 | 第30-31页 |
第三章 射频磁控溅射制备ZnO薄膜及其生长特性研究 | 第31-45页 |
3.1 引言 | 第31-32页 |
3.2 (0002)择优取向ZnO薄膜生长探究 | 第32-39页 |
3.2.1 溅射气压对(0002)择优取向ZnO薄膜生长的影响 | 第32-34页 |
3.2.2 氩氧比对ZnO薄膜生长的影响 | 第34-37页 |
3.2.3 沉积温度对ZnO薄膜生长的影响 | 第37-39页 |
3.3 (11(?)0)ZnO择优取向薄膜生长特性探究 | 第39-43页 |
3.3.1 溅射气压对ZnO薄膜生长的影响 | 第39-41页 |
3.3.2 氩氧比对ZnO薄膜生长的影响 | 第41页 |
3.3.3 沉积温度对ZnO薄膜生长的影响 | 第41-43页 |
3.4 本章小结 | 第43-45页 |
第四章 ZnO/SiO_2/SiLove模声表面波器件的模拟与实验研究 | 第45-60页 |
4.1 引言 | 第45页 |
4.2 声表面波器件的关键参数 | 第45-48页 |
4.2.1 相速度 | 第45-46页 |
4.2.2 机电耦合系数 | 第46-47页 |
4.2.3 频率温度系数 | 第47-48页 |
4.3 ZnO/SiO_2/Si多层膜声表面波器件的模拟与实验 | 第48-53页 |
4.3.1 ZnO/SiO_2/Si三维有限元模型的建立与研究方法 | 第48-50页 |
4.3.2 制作与测试器件 | 第50-53页 |
4.4 结果讨论与分析 | 第53-58页 |
4.5 本章小结 | 第58-60页 |
第五章 声表面波微流体器件的模拟与实验 | 第60-70页 |
5.1 引言 | 第60页 |
5.2 实验设计 | 第60-62页 |
5.2.1 叉指换能器的设计 | 第61页 |
5.2.2 实验详情与表征 | 第61-62页 |
5.3 模型的建立与研究方法 | 第62-65页 |
5.3.1 声压场 | 第63页 |
5.3.2 声流场 | 第63-65页 |
5.4 结果讨论与分析 | 第65-69页 |
5.5 本章小结 | 第69-70页 |
第六章 总结与展望 | 第70-72页 |
参考文献 | 第72-76页 |
致谢 | 第76-77页 |
攻读硕士学位期间的研究成果 | 第77页 |