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ZnO压电薄膜生长及声表面波器件研究

摘要第3-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第10-24页
    1.1 引言第10页
    1.2 声表面波器件的应用与发展第10-14页
        1.2.1 声表面波器件在通讯领域的发展第12-13页
        1.2.2 声表面波器件在传感器领域的发展第13-14页
        1.2.3 声表面波器件在微流体领域的发展第14页
    1.3 固体中弹性波的传播第14-17页
        1.3.1 非压电晶体中弹性波的传播第14-16页
        1.3.2 压电晶体中弹性波的传播第16-17页
    1.4 压电材料第17-19页
    1.5 ZnO薄膜材料的特性与应用第19-21页
    1.6 有限元分析方法第21-22页
    1.7 研究内容、意义以及创新点第22-24页
第二章 ZnO压电薄膜的生长及其表征方法第24-31页
    2.1 薄膜生长机理第24-26页
    2.2 ZnO薄膜制备方法第26-28页
        2.2.1 金属有机化学气相沉积法第26页
        2.2.2 分子束外延第26-27页
        2.2.3 溶胶-凝胶法第27页
        2.2.4 磁控溅射法第27-28页
    2.3 ZnO薄膜的表征方法第28-30页
        2.3.1 X射线衍射仪第28-29页
        2.3.2 扫描电子显微镜第29页
        2.3.3 原子力显微镜(AFM)第29-30页
    2.4 本章小结与实验计划第30-31页
第三章 射频磁控溅射制备ZnO薄膜及其生长特性研究第31-45页
    3.1 引言第31-32页
    3.2 (0002)择优取向ZnO薄膜生长探究第32-39页
        3.2.1 溅射气压对(0002)择优取向ZnO薄膜生长的影响第32-34页
        3.2.2 氩氧比对ZnO薄膜生长的影响第34-37页
        3.2.3 沉积温度对ZnO薄膜生长的影响第37-39页
    3.3 (11(?)0)ZnO择优取向薄膜生长特性探究第39-43页
        3.3.1 溅射气压对ZnO薄膜生长的影响第39-41页
        3.3.2 氩氧比对ZnO薄膜生长的影响第41页
        3.3.3 沉积温度对ZnO薄膜生长的影响第41-43页
    3.4 本章小结第43-45页
第四章 ZnO/SiO_2/SiLove模声表面波器件的模拟与实验研究第45-60页
    4.1 引言第45页
    4.2 声表面波器件的关键参数第45-48页
        4.2.1 相速度第45-46页
        4.2.2 机电耦合系数第46-47页
        4.2.3 频率温度系数第47-48页
    4.3 ZnO/SiO_2/Si多层膜声表面波器件的模拟与实验第48-53页
        4.3.1 ZnO/SiO_2/Si三维有限元模型的建立与研究方法第48-50页
        4.3.2 制作与测试器件第50-53页
    4.4 结果讨论与分析第53-58页
    4.5 本章小结第58-60页
第五章 声表面波微流体器件的模拟与实验第60-70页
    5.1 引言第60页
    5.2 实验设计第60-62页
        5.2.1 叉指换能器的设计第61页
        5.2.2 实验详情与表征第61-62页
    5.3 模型的建立与研究方法第62-65页
        5.3.1 声压场第63页
        5.3.2 声流场第63-65页
    5.4 结果讨论与分析第65-69页
    5.5 本章小结第69-70页
第六章 总结与展望第70-72页
参考文献第72-76页
致谢第76-77页
攻读硕士学位期间的研究成果第77页

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