| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 缓蚀剂简介 | 第10-12页 |
| 1.2.1 缓蚀剂分类 | 第10-11页 |
| 1.2.2 唑类缓蚀剂 | 第11-12页 |
| 1.3 缓蚀机理研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3.1 缓蚀机理实验研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3.2 缓蚀机理理论研究现状 | 第13-14页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 分子模拟方法简介 | 第16-21页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第16-17页 |
| 2.1.1 Hoherberg-korn定理和Kohn-sham方程 | 第16-17页 |
| 2.1.2 交换相关能函数 | 第17页 |
| 2.2 分子动力学模拟 | 第17-21页 |
| 2.2.1 基本原理 | 第17-18页 |
| 2.2.2 分子运动方程的数值求解 | 第18-21页 |
| 第三章 唑类缓蚀剂分子的量子化学研究 | 第21-29页 |
| 3.1 引言 | 第21页 |
| 3.2 计算方法 | 第21-22页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第22-27页 |
| 3.3.1 前线轨道分布 | 第22-23页 |
| 3.3.2 全局反应活性分析 | 第23-24页 |
| 3.3.3 局部反应活性分析 | 第24-27页 |
| 3.4 本章小结 | 第27-29页 |
| 第四章 卤素离子数目和类型对缓蚀性能的影响 | 第29-45页 |
| 4.1 引言 | 第29页 |
| 4.2 模型及计算方法 | 第29-31页 |
| 4.2.1 模型构建 | 第30页 |
| 4.2.2 模拟细节 | 第30-31页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第31-43页 |
| 4.3.1 卤素离子数目对缓蚀剂缓蚀性能的影响研究 | 第31-38页 |
| 4.3.2 卤素离子类型对缓蚀剂缓蚀性能的影响研究 | 第38-43页 |
| 4.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第五章 唑类缓蚀剂数目和头基类型对缓蚀性能的影响 | 第45-57页 |
| 5.1 引言 | 第45页 |
| 5.2 模型及计算方法 | 第45-46页 |
| 5.2.1 模型构建 | 第45-46页 |
| 5.2.2 模拟细节 | 第46页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第46-55页 |
| 5.3.1 唑类缓蚀剂数目对缓蚀性能的影响 | 第46-51页 |
| 5.3.2 唑类缓蚀剂头基类型对缓蚀性能的影响 | 第51-55页 |
| 5.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 结论 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 攻读硕士期间取得的学术成果 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
