| 中文摘要 | 第1-12页 |
| Abstract | 第12-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-44页 |
| 第一节 自旋电子学简介 | 第16-17页 |
| 第二节 自旋相关磁电阻效应 | 第17-22页 |
| 1. 巨磁电阻(GMR) | 第17-20页 |
| 2. 隧道磁电阻(TMR) | 第20-22页 |
| 第三节 磁性半导体 | 第22-36页 |
| 1. 磁性半导体基本特征 | 第22-23页 |
| 2. 磁性半导体研究概况 | 第23-27页 |
| 3. Ge基磁性半导体研究现状 | 第27-36页 |
| 第四节 磁性异质结的研究概况 | 第36-39页 |
| 第五节 亟待解决的问题和本论文的研究内容 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-44页 |
| 第二章 样品的制备技术和分析测试方法 | 第44-58页 |
| 第一节 磁控共溅溅射技术 | 第44-49页 |
| 1. 磁控溅射的基本原理 | 第44-47页 |
| 2. 磁控溅射的优缺点 | 第47页 |
| 3. 实验用磁控共溅溅射设备 | 第47-49页 |
| 第二节 薄膜的测试分析方法 | 第49-58页 |
| 1. X射线衍射谱(XRD) | 第49-51页 |
| 2. 红外吸收谱(IRS) | 第51页 |
| 3. 透射电子显微镜(TEM) | 第51-54页 |
| 4. 交流梯度磁强计(AGM) | 第54-55页 |
| 5. 超导量子干涉仪(SQUID) | 第55-58页 |
| 第三章 氢化对非晶Mn_xGe_(1-x):H薄膜磁性和输运性质的影响 | 第58-70页 |
| 第一节 引言 | 第58-59页 |
| 第二节 实验细节 | 第59页 |
| 第三节 实验结果及讨论 | 第59-66页 |
| 第四节 本章小结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 第四章 Mn_xGe_(1-x):H薄膜中的矫顽力的正负震荡 | 第70-80页 |
| 第一节 引言 | 第70-71页 |
| 第二节 实验细节 | 第71-72页 |
| 第三节 实验结果与讨论 | 第72-77页 |
| 第四节 本章小结 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-80页 |
| 第五章 具有高居里温度和磁化强度的均匀非晶Fe_xGe_(1-x)磁性半导体薄膜研究 | 第80-98页 |
| 第一节 引言 | 第80-81页 |
| 第二节 实验细节 | 第81-82页 |
| 第三节 实验结果与讨论 | 第82-93页 |
| 第四节 本章小结 | 第93-95页 |
| 参考文献 | 第95-98页 |
| 第六章 Fe_xGe_(1-x)/Ge异质结二极管中的磁场和电场调控整流效应和磁电阻 | 第98-110页 |
| 第一节 引言 | 第98-99页 |
| 第二节 实验细节 | 第99-100页 |
| 第三节 实验结果与讨论 | 第100-106页 |
| 第四节 本章小结 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-110页 |
| 第七章 总结与展望 | 第110-112页 |
| 第一节 本论文的主要内容和结果 | 第110页 |
| 第二节 本论文的特色和创新 | 第110-111页 |
| 第三节 展望 | 第111-112页 |
| 致谢 | 第112-114页 |
| 已发表和即将发表的论文 | 第114-115页 |
| 参加的学术会议 | 第115-116页 |
| 附录 | 第116-120页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第120页 |
