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大功率负氢离子源中H~-离子表面产生及引出过程的数值模拟研究

摘要第4-6页
Abstarct第6-10页
1 绪论第10-30页
    1.1 核聚变与中性束注入第10-12页
    1.2 NBI系统与负氢离子源第12-14页
    1.3 负氢离子源的研究现状第14-26页
    1.4 论文主要研究内容与创新点第26-30页
2 射频负氢离子源的结构原理及数值计算方法第30-48页
    2.1 引言第30页
    2.2 RF负氢离子源的结构原理第30-33页
    2.3 H~-离子的表面产生过程第33-36页
    2.4 PIC-MCC算法第36-42页
    2.5 H~-离子引出过程及Vlasov-Poisson迭代算法第42-45页
    2.6 本章小结第45-48页
3 H~-离子表面产生过程研究第48-74页
    3.1 引言第48页
    3.2 SCL鞘层第48-53页
    3.3 H~-表面产生的数值计算第53-61页
    3.4 离子-离子反鞘层的解析模型第61-64页
    3.5 离子-离子反鞘层在负氢离子源中的应用第64-67页
    3.6 离子-离子反鞘层与离子-离子等离子体第67-71页
    3.7 本章小结第71-74页
4 引出系统的数值计算第74-100页
    4.1 引言第74页
    4.2 引出系统数值模型及关键问题第74-79页
    4.3 束流传输程序设计第79-91页
    4.4 程序的正确性验证第91-98页
    4.5 Vlasov-Poisson迭代算法的适用性第98-99页
    4.6 本章小结第99-100页
5 H~-引出束流分析第100-114页
    5.1 引言第100页
    5.2 描述束流品质的参数第100-101页
    5.3 引出束流的计算第101-103页
    5.4 引出电压对引出束流参数的影响第103-108页
    5.5 电子偏转磁场对引出束流的影响第108-110页
    5.6 发射面的近似第110-112页
    5.7 本章小结第112-114页
6 总结与展望第114-118页
    6.1 论文总结第114-115页
    6.2 研究展望第115-118页
致谢第118-120页
参考文献第120-130页
附录1 攻读博士学位期间发表的主要论文第130页

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