摘要 | 第4-6页 |
Abstarct | 第6-10页 |
1 绪论 | 第10-30页 |
1.1 核聚变与中性束注入 | 第10-12页 |
1.2 NBI系统与负氢离子源 | 第12-14页 |
1.3 负氢离子源的研究现状 | 第14-26页 |
1.4 论文主要研究内容与创新点 | 第26-30页 |
2 射频负氢离子源的结构原理及数值计算方法 | 第30-48页 |
2.1 引言 | 第30页 |
2.2 RF负氢离子源的结构原理 | 第30-33页 |
2.3 H~-离子的表面产生过程 | 第33-36页 |
2.4 PIC-MCC算法 | 第36-42页 |
2.5 H~-离子引出过程及Vlasov-Poisson迭代算法 | 第42-45页 |
2.6 本章小结 | 第45-48页 |
3 H~-离子表面产生过程研究 | 第48-74页 |
3.1 引言 | 第48页 |
3.2 SCL鞘层 | 第48-53页 |
3.3 H~-表面产生的数值计算 | 第53-61页 |
3.4 离子-离子反鞘层的解析模型 | 第61-64页 |
3.5 离子-离子反鞘层在负氢离子源中的应用 | 第64-67页 |
3.6 离子-离子反鞘层与离子-离子等离子体 | 第67-71页 |
3.7 本章小结 | 第71-74页 |
4 引出系统的数值计算 | 第74-100页 |
4.1 引言 | 第74页 |
4.2 引出系统数值模型及关键问题 | 第74-79页 |
4.3 束流传输程序设计 | 第79-91页 |
4.4 程序的正确性验证 | 第91-98页 |
4.5 Vlasov-Poisson迭代算法的适用性 | 第98-99页 |
4.6 本章小结 | 第99-100页 |
5 H~-引出束流分析 | 第100-114页 |
5.1 引言 | 第100页 |
5.2 描述束流品质的参数 | 第100-101页 |
5.3 引出束流的计算 | 第101-103页 |
5.4 引出电压对引出束流参数的影响 | 第103-108页 |
5.5 电子偏转磁场对引出束流的影响 | 第108-110页 |
5.6 发射面的近似 | 第110-112页 |
5.7 本章小结 | 第112-114页 |
6 总结与展望 | 第114-118页 |
6.1 论文总结 | 第114-115页 |
6.2 研究展望 | 第115-118页 |
致谢 | 第118-120页 |
参考文献 | 第120-130页 |
附录1 攻读博士学位期间发表的主要论文 | 第130页 |