| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 稀磁半导体 | 第11-12页 |
| 1.3 GaN材料简介 | 第12-13页 |
| 1.3.1 GaN的晶体结构 | 第12-13页 |
| 1.3.2 GaN的电学特性 | 第13页 |
| 1.3.3 GaN的光学特性 | 第13页 |
| 1.4 稀土掺杂GaN的研究概述 | 第13-16页 |
| 1.4.1 稀土元素 | 第13-15页 |
| 1.4.2 稀土掺杂GaN的途径 | 第15页 |
| 1.4.3 稀土掺杂GaN中的缺陷类型 | 第15页 |
| 1.4.4 稀土掺杂GaN的磁学性质 | 第15-16页 |
| 1.5 本文研究的内容、目的及意义 | 第16-19页 |
| 第二章 第一性原理计算方法及计算软件简介 | 第19-26页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 第一性原理计算方法 | 第19-20页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第20-22页 |
| 2.3.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第20页 |
| 2.3.2 Kohn-Sham方程 | 第20-21页 |
| 2.3.3 交换关联泛函 | 第21-22页 |
| 2.4 强关联体系 | 第22页 |
| 2.5 赝势 | 第22-23页 |
| 2.6 能带结构计算 | 第23-24页 |
| 2.7 VASP软件简介 | 第24-26页 |
| 2.7.1 主要的计算功能 | 第24-25页 |
| 2.7.2 主要输入及输出文件 | 第25-26页 |
| 第三章 GaN:Gd及其缺陷复合体的磁性研究 | 第26-58页 |
| 3.1 引言 | 第26-27页 |
| 3.2 计算模型与方法 | 第27-30页 |
| 3.2.1 计算模型 | 第27页 |
| 3.2.2 计算方法 | 第27-28页 |
| 3.2.3 形成能计算 | 第28-30页 |
| 3.3 原子Gd掺杂GaN | 第30-34页 |
| 3.3.1 单Gd掺杂GaN | 第30-32页 |
| 3.3.2 双Gd掺杂GaN | 第32-34页 |
| 3.4 缺陷复合体Gd_(Ga)+V_(Ga)的磁性研究 | 第34-43页 |
| 3.4.1 6.25 ％Gd掺杂GaN | 第34-37页 |
| 3.4.2 2.78 ％Gd掺杂GaN | 第37-39页 |
| 3.4.3 1.56 ％Gd掺杂GaN | 第39-43页 |
| 3.5 缺陷复合体Gd_(Ga)+V_N | 第43-45页 |
| 3.6 缺陷复合体Gd和间隙原子 | 第45-56页 |
| 3.6.1 N间隙原子 | 第45-47页 |
| 3.6.2 O间隙原子 | 第47-49页 |
| 3.6.3 N、O间隙原子共存 | 第49-56页 |
| 3.7 小结 | 第56-58页 |
| 第四章 GaN:Eu及其缺陷复合体的研究 | 第58-72页 |
| 4.1 引言 | 第58页 |
| 4.2 计算方法 | 第58-59页 |
| 4.3 计算结果与分析 | 第59-71页 |
| 4.3.1 Eu单掺GaN | 第59-62页 |
| 4.3.2 缺陷复合体Eu_(Ga)+V_(Ga) | 第62-65页 |
| 4.3.3 缺陷复合体Eu_(Ga)+V_N | 第65-67页 |
| 4.3.4 缺陷复合体Eu_(Ga)+N_i | 第67-69页 |
| 4.3.5 缺陷复合体Eu_(Ga)+O_i | 第69-71页 |
| 4.4 小结 | 第71-72页 |
| 第五章 GaN:Tm及其缺陷复合体的研究 | 第72-85页 |
| 5.1 引言 | 第72页 |
| 5.2 计算方法 | 第72-73页 |
| 5.3 计算结果与分析 | 第73-84页 |
| 5.3.1 Tm单掺GaN | 第73-75页 |
| 5.3.2 缺陷复合体Tm_(Ga)+V_(Ga) | 第75-79页 |
| 5.3.3 缺陷复合体Tm_(Ga)+V_N | 第79-81页 |
| 5.3.4 缺陷复合体Tm_(Ga)+N_i | 第81-82页 |
| 5.3.5 缺陷复合体Tm_(Ga)+O_i | 第82-84页 |
| 5.4 小结 | 第84-85页 |
| 第六章 结论 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-93页 |
| 攻读硕士学位期间所取得的相关科研成果 | 第93-95页 |
| 致谢 | 第95-96页 |
