| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 符号对照表 | 第15-16页 |
| 缩略语对照表 | 第16-19页 |
| 第一章 绪论 | 第19-29页 |
| 1.1 中子探测器的研究背景及意义 | 第19-24页 |
| 1.1.1 SiC材料的耐辐照优势及发展现状 | 第20-22页 |
| 1.1.2 SiC基二极管的发展现状 | 第22-24页 |
| 1.2 SiC基中子探测器的国内外研究现状 | 第24-28页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第24-25页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第25-28页 |
| 1.3 主要研究内容 | 第28-29页 |
| 第二章 中子探测器的探测原理研究 | 第29-35页 |
| 2.1 中子的基本特征 | 第29页 |
| 2.2 半导体中子探测器的特点 | 第29-31页 |
| 2.3 中子探测原理 | 第31-34页 |
| 2.3.1 基本探测原理 | 第31-33页 |
| 2.3.2 本文中子探测器的原理 | 第33-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 4H-SiCPiN基中子探测器的设计 | 第35-51页 |
| 3.1 4H-SiC基PiN器件基本参数设定 | 第35-37页 |
| 3.2 4H-SiC基PiN器件漏电机制 | 第37-38页 |
| 3.3 低漏电4H-SiC基PiN器件的终端结构设计 | 第38-50页 |
| 3.3.1 JTE终端长度的仿真 | 第39-40页 |
| 3.3.2 JTE终端掺杂浓度的优化 | 第40-46页 |
| 3.3.3 Single-JTE和Double-JTE终端的对比 | 第46-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 快中子探测器电荷收集效率的仿真分析 | 第51-71页 |
| 4.1 理想情况下的电荷收集效率研究 | 第52-66页 |
| 4.1.1 工作电压对电荷收集效率的影响 | 第52-55页 |
| 4.1.2 主结厚度和JTE厚度对电荷收集效率的影响 | 第55-56页 |
| 4.1.3 入射位置对电荷收集效率的影响 | 第56-66页 |
| 4.2 陷阱对电荷收集特性的影响研究 | 第66-70页 |
| 4.2.1 不同类型陷阱对电荷收集特性的影响 | 第66-69页 |
| 4.2.2 工作电压对电荷收集性能的影响 | 第69-70页 |
| 4.3 本章小结 | 第70-71页 |
| 第五章 快中子探测器的制备及探测 | 第71-79页 |
| 5.1 PiN器件的制备及电学性能测试 | 第71-75页 |
| 5.2 中子辐照及结果分析 | 第75-78页 |
| 5.2.1 中子探测外围电路系统 | 第75-76页 |
| 5.2.2 实验测试及结果分析 | 第76-78页 |
| 5.3 本章小结 | 第78-79页 |
| 第六章 总结与展望 | 第79-81页 |
| 6.1 论文工作总结 | 第79-80页 |
| 6.2 论文工作展望 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-85页 |
| 致谢 | 第85-87页 |
| 作者简介 | 第87-88页 |
