| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第12-27页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 氢气传感器 | 第12-17页 |
| 1.2.1 基本概念与关键指标 | 第12-14页 |
| 1.2.2 器件分类与工作原理 | 第14-17页 |
| 1.3 半导体氢气传感器的研究现状 | 第17-21页 |
| 1.3.1 块体材料 | 第17-18页 |
| 1.3.2 薄膜材料 | 第18-19页 |
| 1.3.3 纳米粉体材料 | 第19页 |
| 1.3.4 纳米线材料 | 第19-21页 |
| 1.4 氢气敏感材料的选择 | 第21-25页 |
| 1.4.1 SnO_2材料的基本特性 | 第22-23页 |
| 1.4.2 SnO_2材料氢敏元件的研究现状 | 第23-25页 |
| 1.5 选题依据与研究内容 | 第25-27页 |
| 1.5.1 选题依据 | 第25页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第25-27页 |
| 第2章 材料制备与表征方法 | 第27-35页 |
| 2.1 药品试剂与仪器设备 | 第27-28页 |
| 2.2 材料的制备方法 | 第28-31页 |
| 2.2.1 SnO_2纳米花的合成 | 第28-29页 |
| 2.2.2 SnO_2纳米花氢敏元件的组装 | 第29-30页 |
| 2.2.3 Ag、Pd和Pt贵金属纳米颗粒对SnO_2纳米花的表面修饰 | 第30-31页 |
| 2.3 材料的表征方法 | 第31-34页 |
| 2.3.1 物相分析 | 第31-32页 |
| 2.3.2 扫描电子显微分析 | 第32页 |
| 2.3.3 比表面积分析仪 | 第32-33页 |
| 2.3.4 X射线光电子能谱分析 | 第33页 |
| 2.3.5 氢敏性能测试方法 | 第33-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第3章 SnO_2纳米花的可控合成 | 第35-42页 |
| 3.1 SnO_2纳米花的水热生长 | 第35-40页 |
| 3.1.1 水热温度的影响 | 第35-36页 |
| 3.1.2 水热时间的影响 | 第36-38页 |
| 3.1.3 水热原料配比的影响 | 第38-40页 |
| 3.2 SnO_2纳米花的生长机理分析 | 第40-41页 |
| 3.3 小结 | 第41-42页 |
| 第4章 SnO_2纳米花氢敏元件的室温氢敏性能研究 | 第42-53页 |
| 4.1 元件敏感层的物相形貌特性 | 第42-44页 |
| 4.2 SnO_2纳米花氢敏元件的室温氢敏性能 | 第44-52页 |
| 4.2.1 器件的电学特性 | 第44页 |
| 4.2.2 器件的室温氢敏性能 | 第44-47页 |
| 4.2.3 室温氢敏机理分析 | 第47-52页 |
| 4.3 本章小结 | 第52-53页 |
| 第5章 SnO_2纳米花的表面修饰与氢敏性能优化 | 第53-66页 |
| 5.1 贵金属纳米颗粒表面修饰技术 | 第53-57页 |
| 5.1.1 物相和表面微结构分析 | 第53-57页 |
| 5.2 表面修饰的SnO_2纳米花的室温氢敏性能 | 第57-61页 |
| 5.2.1 氢敏元件的组装 | 第57-58页 |
| 5.2.2 氢敏元件的电学特性 | 第58-59页 |
| 5.2.3 氢敏元件的室温氢敏特性 | 第59-61页 |
| 5.3 SnO_2纳米花的氢敏性能优化机理 | 第61-65页 |
| 5.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第6章 结论与展望 | 第66-68页 |
| 6.1 结论 | 第66-67页 |
| 6.2 展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 附录 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |