| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 引言 | 第10-17页 |
| 1.1 纳米科技与纳米材料简介 | 第10-12页 |
| 1.2 低维纳米材料的制备及其表征技术 | 第12-13页 |
| 1.3 分子自组装与分子团簇 | 第13-14页 |
| 1.4 薄膜生长理论 | 第14-15页 |
| 1.5 应力与单分子转子 | 第15-16页 |
| 1.5.1 应力 | 第15-16页 |
| 1.5.2 分子转子 | 第16页 |
| 1.6 本论文的结构安排 | 第16-17页 |
| 第二章 实验技术及其原理 | 第17-31页 |
| 2.1 超真空技术 | 第17-23页 |
| 2.1.1 超高真空测量 | 第20-23页 |
| 2.2 低温技术 | 第23页 |
| 2.3 扫描隧道显微镜(STM)简介 | 第23-29页 |
| 2.3.1 STM的工作原理 | 第24-25页 |
| 2.3.2 STM的基本结构 | 第25-28页 |
| 2.3.3 STM的工作模式 | 第28-29页 |
| 2.3.4 扫描隧道谱(ScanningTunnelingSpectroscopy-STS)的基本原理 | 第29页 |
| 2.4 强磁场技术 | 第29-31页 |
| 第三章 有单分子转子填充的酞菁钴(CoPc)-空缺阵列 | 第31-45页 |
| 3.1 研究背景 | 第31-32页 |
| 3.2 实验部分 | 第32-33页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第33-44页 |
| 3.3.1 液氮温度下(78K)CoPc单分子和分子团簇 | 第33-35页 |
| 3.3.2 液氦温度下(4.7K)CoPc单分子和分子团簇 | 第35-36页 |
| 3.3.3 液氮温度下CoPc单层薄膜 | 第36-40页 |
| 3.3.4 液氦温度下CoPc单分子层薄膜 | 第40-42页 |
| 3.3.5 CoPc密排单分子层薄膜 | 第42-43页 |
| 3.3.6 多层CoPc单层薄膜 | 第43-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 结论 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 研究生期间发表论文情况 | 第57页 |
