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扫描隧道显微术对低维电子体系的物性研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-9页
第一章 扫描隧道显微镜简介第12-20页
    1.1 STM的基本工作原理第12-13页
    1.2 STM的结构示意图第13-14页
    1.3 STM的工作模式第14-16页
    1.4 扫描隧道谱(STS)第16-19页
        1.4.1 I(V)谱第16页
        1.4.2 I(Z)谱第16页
        1.4.3 Z(V)谱第16-19页
    参考文献第19-20页
第二章 摩尔纹周期对hBN/Cu(111)的能带及功函数调制效应研究第20-48页
    2.1 引言第20-25页
    2.2 研究背景第25-37页
        2.2.1 单层hBN/Rh(111)的形貌特征第26-28页
        2.2.2 hBN/Rh(111)的电子结构第28-33页
        2.2.3 单层hBN/Cu(111)晶体结构及电子结构第33-37页
    2.3 实验方法及技术第37-39页
    2.4 实验结果第39-44页
        2.4.1 hBN/Cu(111)的形貌特征第39-40页
        2.4.2 hBN/Cu(111)的功函数调制第40-42页
        2.4.3 hBN/Cu(111)的能带调制第42-44页
    2.5 本章小结第44-45页
    参考文献第45-48页
第三章 MoSe_2/hBN/Ru(0001)能带重整化及功函数调制效应研究第48-92页
    3.1 引言第48-49页
    3.2 TMDs的晶体结构第49-50页
    3.3 TMDs的电子结构第50-51页
    3.4 主要探测手段第51-56页
        3.4.1 光致发光谱第51-52页
        3.4.2 角分辨光电子能谱第52-55页
        3.4.3 扫描隧道谱第55-56页
    3.5 TMDs的一维金属态第56-58页
    3.6 TMDs的一维电荷密度波态第58-61页
    3.7 TMDs的能带重整化第61-74页
    3.8 我们的工作第74-87页
        3.8.1 MoSe_2/hBN/Ru(0001)的形貌结构第76-78页
        3.8.2 MoSe_2/hBN/Ru(0001)中的能带重整化第78-81页
        3.8.3 MoSe_2/hBN/Ru(0001)中的功函数调制第81-84页
        3.8.4 理论计算及讨论第84-87页
    3.9 本章小结第87-88页
    参考文献第88-92页
第四章 石墨烯条带碳四元环自旋阀的实验及理论研究第92-115页
    4.1 引言第92页
    4.2 研究背景第92-96页
        4.2.1 石墨烯纳米条带的磁性研究第92-96页
    4.3 Graphene条带的合成方法第96-101页
        4.3.1 自上而下的剪裁技术第96-98页
        4.3.2 自下而上的合成方式第98-101页
    4.4 工作设想第101-105页
    4.5 实验部分第105-108页
    4.6 理论部分第108-111页
        4.6.1 自旋翻转第108-109页
        4.6.2 并五苯二聚体及超晶格的电子结构第109-111页
    4.7 本章小结第111-112页
    参考文献第112-115页
在读期间发表的学术论文与取得的研究成果第115-116页
致谢第116页

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