| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第19-45页 |
| 1.1 VCSEL简介 | 第20-28页 |
| 1.1.1 VCSEL的基本结构 | 第20-21页 |
| 1.1.2 VCSEL的优点与基本特性 | 第21-28页 |
| 1.2 VCSEL的应用成果及研究进展 | 第28-38页 |
| 1.2.1 VCSEL在光通讯上的应用研究 | 第28-31页 |
| 1.2.2 VCSEL在医疗成像中的应用 | 第31-32页 |
| 1.2.3 GaN蓝光VCSEL | 第32-34页 |
| 1.2.4 VCSEL阵列的应用研究 | 第34-38页 |
| 1.3 少模VCSEL的研究背景及意义 | 第38-40页 |
| 1.3.1 模式复用技术 | 第38-40页 |
| 1.3.2 VCSEL在复用技术中的应用 | 第40页 |
| 1.4 优化VCSEL阵列的研究背景及意义 | 第40-43页 |
| 1.5 本论文的研究工作 | 第43-45页 |
| 第2章 VCSEL的模式特性及热特性 | 第45-63页 |
| 2.1 VCSEL的模式特性 | 第45-57页 |
| 2.1.1 VCSEL的纵模 | 第45-51页 |
| 2.1.2 VCSEL的横模特性 | 第51-54页 |
| 2.1.3 VCSEL横模与纵模的关系 | 第54-55页 |
| 2.1.4 VCSEL模式的偏振特性 | 第55-57页 |
| 2.2 VCSEL的热特性 | 第57-62页 |
| 2.2.1 VCSEL的产热机制 | 第57-60页 |
| 2.2.2 COMSOL热电耦合计算 | 第60-62页 |
| 2.3 本章小结 | 第62-63页 |
| 第3章 少模VCSEL的研究 | 第63-103页 |
| 3.1 少模VCSEL的器件结构设计 | 第63-74页 |
| 3.1.1 台面分割对VCSEL电流密度分布的影响 | 第64-68页 |
| 3.1.2 激射区及其横模特性 | 第68-74页 |
| 3.2 少模VCSEL的工艺制备 | 第74-85页 |
| 3.3 少模VCSEL的性能测试 | 第85-101页 |
| 3.3.1 VCSEL的测试方法简介 | 第85-87页 |
| 3.3.2 双模VCSEL的性能测试 | 第87-94页 |
| 3.3.3 三模VCSEL的性能测试 | 第94-98页 |
| 3.3.4 四模VCSEL的性能测试 | 第98-101页 |
| 3.4 本章小结 | 第101-103页 |
| 第4章 优化VCSEL阵列的研究 | 第103-121页 |
| 4.1 980 nm底发射4×4方形VCSEL阵列的优化 | 第103-113页 |
| 4.1.1 COMSOL热电耦合模型[154] | 第103-110页 |
| 4.1.2 980 nm底发射VCSEL阵列器件制备 | 第110页 |
| 4.1.3 优化阵列与普通阵列的性能对比 | 第110-113页 |
| 4.2 808 nm顶发射圆形VCSEL阵列的优化 | 第113-119页 |
| 4.2.1 优化理论及算法 | 第114-117页 |
| 4.2.2 808 nm顶发射阵列的制备 | 第117-118页 |
| 4.2.3 808 nm顶发射VCSEL阵列的测试 | 第118-119页 |
| 4.3 本章小结 | 第119-121页 |
| 第5章 总结与展望 | 第121-123页 |
| 参考文献 | 第123-135页 |
| 致谢 | 第135-137页 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第137页 |
