| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第1章 文献综述与选题意义 | 第8-31页 |
| ·化学机械抛光的发展及材料去除机理 | 第8-12页 |
| ·化学机械抛光的发展与应用 | 第8-9页 |
| ·化学机械抛光的工作原理和特点 | 第9-10页 |
| ·化学机械抛光的材料去除机理 | 第10-12页 |
| ·单晶硅片的特性及其化学机械抛光的机理研究 | 第12-15页 |
| ·单晶硅片的基本性质及用途 | 第12-13页 |
| ·单晶硅片的抛光机理 | 第13-15页 |
| ·CeO_2核壳结构纳米复合材料制备与表征的研究现状及其发展趋势 | 第15-24页 |
| ·液相包覆法 | 第15-21页 |
| ·固相包覆法 | 第21页 |
| ·气相包覆法 | 第21-24页 |
| ·核壳复合纳米材料的机理 | 第24-25页 |
| ·最新研究动态与存在的问题 | 第25-28页 |
| ·核壳纳米复合抛光粉的合成 | 第25-27页 |
| ·CMP复合抛光浆料 | 第27-28页 |
| ·本课题的立项依据及待解决的问题 | 第28-31页 |
| 第2章 直接沉淀法制备纳米氧化铈及其抛光硅晶片的性能与影响因素 | 第31-41页 |
| ·前言 | 第31-32页 |
| ·实验方法与装置 | 第32-34页 |
| ·主要试剂及仪器清单 | 第32-33页 |
| ·化学沉淀法合成纳米CeO_2 | 第33页 |
| ·纳米CeO_2的表征方法 | 第33页 |
| ·纳米CeO_2对硅晶片的抛光性能评价 | 第33-34页 |
| ·结果与讨论 | 第34-40页 |
| ·XRD、TEM分析 | 第34-35页 |
| ·粉体粒度,比表面积,Zeta电位分析 | 第35页 |
| ·浆料中pH值对Si(111)材料去除速率的影响 | 第35-36页 |
| ·浆料中CeO_2粉体含量对Si(111)材料去除速率的影响 | 第36-37页 |
| ·浆料中H_2O_2体积分数对Si(111)材料去除速率的影响 | 第37-39页 |
| ·硅片的表面质量评价 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第3章 纳米CeO_2核晶表面水解沉积法制备TiO_2@CeO_2及其抛光性能 | 第41-58页 |
| ·前言 | 第41-42页 |
| ·实验方法与装置 | 第42-44页 |
| ·主要试剂及仪器清单 | 第42页 |
| ·钛包覆铈基复合氧化物的合成 | 第42-44页 |
| ·结果与讨论 | 第44-57页 |
| ·合成条件对氧化铈上钛沉积量的影响 | 第44-47页 |
| ·铈钛核壳纳米复合氧化物的表征 | 第47-52页 |
| ·铈钛核壳纳米复合氧化物对硅晶片的抛光性能 | 第52-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第4章 结论与展望 | 第58-60页 |
| ·结论 | 第58-59页 |
| ·进一步工作的方向 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-69页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第69页 |
