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Cr-Si-N基纳米复合刀具涂层的制备及其性能研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第一章 绪论第12-27页
    1.1 引言第12-13页
    1.2 物理气相沉积技术(PVD)第13-20页
        1.2.1 物理气相沉积技术的分类第15-19页
        1.2.2 物理气相沉积技术的发展趋势第19-20页
    1.3 多弧离子镀沉积技术第20-23页
        1.3.1 多弧离子镀简介第20-21页
        1.3.2 多弧离子镀沉积的基本原理第21-22页
        1.3.3 多弧离子镀沉积的特点第22-23页
    1.4 刀具涂层的分类第23-25页
    1.5 本论文的研究思路以及研究内容第25-27页
第二章 实验方法和表征手段第27-36页
    2.1 试剂与仪器设备第27-29页
        2.1.1 试剂、耗材以及设备第27-28页
        2.1.2 沉积设备第28-29页
    2.2 工艺流程第29-31页
    2.3 表征手段第31-34页
        2.3.1 X射线衍射分析(XRD)第31页
        2.3.2 扫描电镜(SEM)第31-32页
        2.3.3 元素成分分析(EDS)第32页
        2.3.4 显微硬度第32-33页
        2.3.5 摩擦磨损第33-34页
    2.4 抗高温性能测试第34页
    2.5 耐腐蚀测试第34-36页
第三章 不同弧电流对Cr-Si-N涂层性能的影响第36-47页
    3.1 引言第36页
    3.2 Cr-Si-N涂层的沉积工艺与条件第36-38页
        3.2.1 沉积条件与工艺第36-37页
        3.2.2 表征手段第37-38页
    3.3 结果与讨论第38-45页
        3.3.1 涂层成分分析第38页
        3.3.2 XRD晶相分析第38-39页
        3.3.3 SEM表面与截面形貌分析第39-41页
        3.3.4 Cr-Si-N涂层的显微硬度第41页
        3.3.5 Cr-Si-N涂层的摩擦系数第41-42页
        3.3.6 Cr-Si-N涂层抗高温性能研究第42-44页
        3.3.7 Cr-Si-N涂层耐腐蚀研究第44-45页
    3.4 本章小结第45-47页
第四章 不同弧电流对Cr-Al-Si-N涂层性能的影响第47-62页
    4.1 引言第47页
    4.2 复合Cr-Al-Si-N涂层的制备及其性能研究第47-49页
        4.2.1 复合涂层Cr-Al-Si-N的沉积参数与工艺程序第47-49页
        4.2.2 涂层的表征第49页
    4.3 结果与讨论第49-60页
        4.3.1 涂层成分分析第49-50页
        4.3.2 XRD物相检测第50-51页
        4.3.3 SEM表面与截面形貌分析第51-53页
        4.3.4 Cr-Al-Si-N涂层的显微硬度第53-54页
        4.3.5 Cr-Al-Si-N涂层的摩擦系数第54-56页
        4.3.6 Cr-Al-Si-N涂层耐腐蚀性研究第56-57页
        4.3.7 Cr-Al-Si-N涂层抗高温性能研究第57-60页
    4.4 本章小结第60-62页
第五章 不同氧化量对Cr-Si-O-N涂层性能的影响第62-76页
    5.1 引言第62页
    5.2 Cr-Si-O-N涂层的制备工艺以及性能研究第62-64页
        5.2.1 沉积条件及其工艺流程第62-63页
        5.2.2 涂层的表征第63-64页
    5.3 结果与讨论第64-74页
        5.3.1 化学成分分析第64-65页
        5.3.2 XRD晶相分析第65-66页
        5.3.3 SEM表面与截面形貌分析第66-67页
        5.3.4 Cr-Si-O-N涂层的显微硬度第67-68页
        5.3.5 Cr-Si-O-N涂层抗高温氧化性能研究第68-73页
            5.3.5.1 XRD分析第68-69页
            5.3.5.2 SEM形貌分析第69-73页
        5.3.6 Cr-Si-O-N涂层耐腐蚀性能研究第73-74页
    5.4 本章小结第74-76页
结论与展望第76-77页
参考文献第77-86页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第86-87页
致谢第87-88页
附件第88页

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