| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 LITT效应理论基础 | 第11-14页 |
| 1.1.1 LITT效应简史 | 第11-12页 |
| 1.1.2 LITT效应理论基础 | 第12-13页 |
| 1.1.3 热传输模型 | 第13-14页 |
| 1.2 光电效应 | 第14-15页 |
| 1.3 BiCuSeO半导体材料简介 | 第15-16页 |
| 1.4 研究内容 | 第16-18页 |
| 第2章 样品的制备与表征 | 第18-23页 |
| 2.1 脉冲激光沉积技术 | 第18-19页 |
| 2.2 样品表征 | 第19-20页 |
| 2.2.1 X射线衍射(XRD) | 第19-20页 |
| 2.2.2 薄膜表面形貌表征 | 第20页 |
| 2.3 光吸收谱测试 | 第20-21页 |
| 2.4 LITT效应测试 | 第21页 |
| 2.5 异质结的整流及光伏特性测试 | 第21-22页 |
| 2.6 本章小结 | 第22-23页 |
| 第3章 BiCuSeO薄膜的变温LITT效应研究 | 第23-35页 |
| 3.1 引言 | 第23页 |
| 3.2 BiCuSeO薄膜制备与表征 | 第23-25页 |
| 3.2.1 薄膜样品的制备 | 第23-24页 |
| 3.2.2 薄膜样品的表征 | 第24-25页 |
| 3.3 BiCuSeO薄膜的室温LITT特性研究 | 第25-30页 |
| 3.3.1 脉冲激光 | 第25-27页 |
| 3.3.2 连续光源 | 第27-29页 |
| 3.3.3 连续热源 | 第29-30页 |
| 3.4 BiCuSeO薄膜的低温LITT特性 | 第30-33页 |
| 3.5 小结 | 第33-35页 |
| 第4章 金纳米颗粒光吸收层对BiCuSeO薄膜的LITT效应影响研究 | 第35-41页 |
| 4.1 引言 | 第35页 |
| 4.2 金纳米颗粒的制备与表征 | 第35-37页 |
| 4.2.1 制备方法 | 第35-36页 |
| 4.2.2 SEM形貌分析 | 第36-37页 |
| 4.2.3 光吸收谱测试 | 第37页 |
| 4.3 金纳米颗粒对薄膜LITT效应的影响研究 | 第37-39页 |
| 4.4 小结 | 第39-41页 |
| 第5章 BiCuSeO/Si异质结制备与光伏效应研究 | 第41-48页 |
| 5.1 BiCuSeO/Si异质结的制备与表征 | 第41-42页 |
| 5.2 BiCuSeO/Si异质结的室温整流及光伏特性 | 第42-46页 |
| 5.2.1 整流特性 | 第42-43页 |
| 5.2.2 光伏特性 | 第43-46页 |
| 5.3 低温整流及光伏特性 | 第46-47页 |
| 5.4 小结 | 第47-48页 |
| 结束语 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 攻读硕士研究生期间发表的学术论文和专利 | 第55页 |
