首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--发光器件论文

有机发光二极管中的三重态—三重态湮灭和单重态—单重态湮灭

致谢第4-6页
摘要第6-7页
ABSTRACT第7-8页
缩略语表第9-15页
1 绪论第15-35页
    1.1 引言第15-16页
    1.2 OLED的发展历史及现存问题第16-18页
    1.3 OLED的技术原理及性能参数第18-22页
        1.3.1 OLED的基本结构第18-19页
        1.3.2 OLED的发光原理第19-21页
        1.3.3 OLED器件的基本表征参数第21-22页
    1.4 有机材料的上转换机制第22-29页
        1.4.1 热活化延迟荧光(TADF)第23-25页
        1.4.2 三重态-三重态湮灭上转化(TTA)第25-28页
        1.4.3 单重态-单重态湮灭上转化(SSA)第28-29页
    1.5 有机电致发光器件的稳定性第29-33页
        1.5.1 OLED器件的非本质老化第30-31页
        1.5.2 OLED器件的本质老化第31-33页
    1.6 课题的提出及意义第33-35页
2 实验部分第35-43页
    2.1 原料与试剂第35-37页
    2.2 仪器设备第37-38页
    2.3 器件制备与封装第38-39页
        2.3.1 器件蒸镀第38页
        2.3.2 器件封装第38-39页
    2.4 性能表征第39-43页
3 用TTA及TADF上转换提高蓝光荧光器件效率第43-57页
    3.1 前言第43页
    3.2 实验部分第43-45页
        3.2.1 光物理性质表征第43页
        3.2.2 器件结构设计第43-45页
            3.2.2.1 MADN主体掺杂器件最优掺杂浓度探索第43-44页
            3.2.2.2 基于不同主体材料的蓝光荧光器件制备第44页
            3.2.2.3 TADF主体掺杂DPAVBi器件制备第44-45页
            3.2.2.4 TADF主体掺杂DPAVB器件制备第45页
    3.3 结果与讨论第45-56页
        3.3.1 MADN:磷光敏化剂主客体掺杂薄膜的瞬态荧光表征第45-46页
        3.3.2 MADN掺杂DPAVBi荧光器件表征第46-47页
        3.3.3 不同T_1主体掺杂荧光器件性能表征及对比第47-49页
        3.3.4 器件电致瞬态光谱第49-50页
        3.3.5 TADF主体掺杂DPAVBi荧光器件性能表征第50-52页
        3.3.6 DPAVB材料光物理表征第52-54页
        3.3.7 TADF主体掺杂DPAVB荧光器件性能表征第54-56页
    3.4 本章小结第56-57页
4 抑制SSA上转换提高蓝光TADF器件稳定性第57-77页
    4.1 前言第57-58页
    4.2 实验部分第58-60页
        4.2.1 分子计算模拟第58页
        4.2.2 光物理性质表征第58-59页
        4.2.3 器件结构设计第59-60页
    4.3 结果与讨论第60-75页
        4.3.1 DMAC-DPS光老化研究第60-62页
        4.3.2 溶液中的吸收光谱、室温荧光光谱、低温磷光光谱第62-64页
        4.3.3 TADF材料循环伏安曲线第64页
        4.3.4 DPEPO掺杂薄膜光致稳态和瞬态光谱第64-66页
        4.3.5 分子模拟结果第66-68页
        4.3.6 TADF蓝光OLED的器件性能第68-73页
        4.3.7 TADF蓝光OLED的老化机理解释—单重态-单重态湮灭(SSA)第73-75页
    4.4 本章小结第75-77页
5 全文总结第77-79页
参考文献第79-93页
作者简介第93页
硕士期间科研成果第93页

论文共93页,点击 下载论文
上一篇:基于翻转概率分析的加速硬件木马检测技术研究
下一篇:一种三脉管肝芯片设计研究