| Abstract | 第5-6页 |
| 摘要 | 第7-8页 |
| List of Abbreviations | 第8-11页 |
| Chapter 1: Literature Review | 第11-24页 |
| 1.1 Graphene Introduction | 第11-12页 |
| 1.2 Graphene Production Methods | 第12-15页 |
| 1.2.1 Mechanical Exfoliation of Graphene | 第12页 |
| 1.2.2 Epitaxial Growth on Silicon Carbide | 第12-13页 |
| 1.2.3 Chemical Route | 第13-14页 |
| 1.2.4 CVD (Chemical Vapor Deposition) Graphene | 第14-15页 |
| 1.3 Graphene Applications | 第15-16页 |
| 1.4 Graphene Photodetectors | 第16-23页 |
| 1.4.1 Metal-Graphene Metal Photodetectors | 第16-19页 |
| 1.4.2 Graphene/ Semiconductor Heterostructure Photodetectors | 第19-23页 |
| 1.4.2.1 Graphene/Si Photodetector | 第19-21页 |
| 1.4.2.2 Graphene/GaNPhotodetector | 第21-22页 |
| 1.4.2.3 Graphene/Ge Photodetector | 第22-23页 |
| 1.5 Thesis Outline | 第23页 |
| 1.6 Source of Funding | 第23-24页 |
| Chapter 2: Fluorinated Graphene: Synthesis and Characterizations | 第24-34页 |
| 2.1 Introduction | 第24页 |
| 2.2 CVD Growth of Graphene | 第24-25页 |
| 2.3 Modified Transfer of Graphene | 第25-26页 |
| 2.4 Raman Analysis of Graphene | 第26-28页 |
| 2.5 Fluorination of Graphene | 第28页 |
| 2.6 Characterizations of Fluorinated Graphene | 第28-34页 |
| 2.6.1 XPSAnalysis of FG | 第28-30页 |
| 2.6.2 Raman Analysis of FG | 第30-33页 |
| 2.6.3 Electrical Properties of FG | 第33-34页 |
| Chapter 3: Broadband Fluorographene Photodetector | 第34-52页 |
| 3.1 Introduction | 第34-36页 |
| 3.2 Results and Discussions | 第36-45页 |
| 3.3 Experimental Methods | 第45-52页 |
| Chapter 4: Solvent based Soft Patterning of Graphene Lateral Heterostructures forBroadband High-Speed MSM Photodetectors | 第52-73页 |
| 4.1 Introduction | 第52-53页 |
| 4.2 Solvents Based De-fluorination of FG | 第53-59页 |
| 4.3 Simulation Results | 第59-61页 |
| 4.4 Graphene-FG Lateral Heterostructures | 第61-63页 |
| 4.5 Graphene-FG Heterostructure Photodetectors | 第63-70页 |
| 4.6 Materials and Methods | 第70-71页 |
| 4.7 Characterizations and Measurements | 第71-73页 |
| Chapter 5: High-Performance, Flexible Graphene/Ultra-thin Silicon UV Image Sensor | 第73-82页 |
| 5.1 Introduction | 第73页 |
| 5.2 Device Fabrication Process | 第73-74页 |
| 5.3 Device Characterizations | 第74-75页 |
| 5.4 Results and Discussions | 第75-82页 |
| Chapter 6: Black Phosphorus Enhanced Silicon IR Photodetector | 第82-88页 |
| 6.1 Introduction | 第82页 |
| 6.2 Device Fabrication Process | 第82-84页 |
| 6.3 Results and Discussions | 第84-88页 |
| Chapter 7: Conclusion | 第88-90页 |
| References | 第90-99页 |
| List of Publication | 第99-100页 |
