| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·氮化镓微波功率器件的优越性 | 第7-10页 |
| ·材料的研究 | 第8-9页 |
| ·器件的研究 | 第9-10页 |
| ·辐照可靠性研究的意义 | 第10-12页 |
| ·辐照环境 | 第10-11页 |
| ·辐照对电子元器件的影响 | 第11-12页 |
| ·GaN基器件的抗辐照研究现状 | 第12-13页 |
| ·本文研究内容及安排 | 第13-15页 |
| 第二章 GaN基材料和器件辐照损伤机理 | 第15-21页 |
| ·辐照粒子与半导体材料的作用 | 第15-16页 |
| ·GaN材料辐照感生缺陷 | 第16-17页 |
| ·GaN基器件辐照损伤 | 第17-21页 |
| ·GaN基HEMT器件辐照损伤现象 | 第17-19页 |
| ·GaN基HEMT器件辐照损伤讨论 | 第19-21页 |
| 第三章 GaN基材料和HEMT器件辐照效应研究 | 第21-41页 |
| ·GaN基HEMT器件的60Co γ辐照效应研究 | 第22-30页 |
| ·实验安排与实施 | 第22-23页 |
| ·AlGaN/GaN异质材料的60Coγ射线辐照效应 | 第23-25页 |
| ·GaN基器件的60Co γ射线辐照效应 | 第25-30页 |
| ·GaN基材料和器件的质子辐照效应研究 | 第30-41页 |
| ·实验器件与实验方法 | 第30-31页 |
| ·GaN体材料的质子辐照效应 | 第31-34页 |
| ·GaN基器件的质子辐照效应 | 第34-41页 |
| 第四章 GaN基HEMT辐照损伤模型 | 第41-49页 |
| ·GaN基HEMT器件阈值电压漂移模型 | 第41-43页 |
| ·GaN基HEMT器件2DEG浓度模型 | 第43-45页 |
| ·GaN基HEMT器件迁移率的退化模型 | 第45-49页 |
| 第五章 结束语 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |