| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| ·SiC材料基本特性 | 第10-11页 |
| ·SiC纳米线的制备方法 | 第11-17页 |
| ·电弧放电法 | 第11-12页 |
| ·激光烧蚀法 | 第12页 |
| ·模板法 | 第12-14页 |
| ·热蒸发法 | 第14页 |
| ·溶剂热法 | 第14-15页 |
| ·化学气相沉积(CVD)法 | 第15-16页 |
| ·碳热还原法 | 第16-17页 |
| ·SiC纳米线的生长机理 | 第17-19页 |
| ·气液固生长机制(Vapor-Liquid-Solid Growth) | 第17页 |
| ·气固生长机制(Vapor-Solid Growth) | 第17-18页 |
| ·氧化物辅助生长机制(Oxide Assisted Growth) | 第18页 |
| ·溶液液相固相生长机制(Solution-Liquid-Solid Growth) | 第18-19页 |
| ·SiC纳米线的性能 | 第19-24页 |
| ·机械性能 | 第19页 |
| ·光学性能 | 第19-20页 |
| ·电学性能 | 第20-21页 |
| ·场发射性能 | 第21-23页 |
| ·光催化性能 | 第23页 |
| ·储氢性能 | 第23-24页 |
| ·论文选题背景及研究内容 | 第24-25页 |
| ·本文创新点 | 第25-26页 |
| 第二章 实验原料、设备和测试表征 | 第26-30页 |
| ·实验原料 | 第26页 |
| ·实验设备 | 第26页 |
| ·测试表征 | 第26-30页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第26-27页 |
| ·附有能谱仪的扫描电子显微镜(SEM) | 第27-28页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第28页 |
| ·傅立叶红外光谱(FT-IR) | 第28-30页 |
| 第三章 SiC纳米线的制备与生长机理研究 | 第30-55页 |
| ·实验方法 | 第30-31页 |
| ·制备工艺和流程 | 第31-32页 |
| ·SiC纳米线的结构、成分与形貌 | 第32-37页 |
| ·成分分析 | 第32-34页 |
| ·形貌和结构分析 | 第34-37页 |
| ·影响SiC纳米线结构和形貌的因素 | 第37-48页 |
| ·碳源 | 第37-39页 |
| ·配碳量 | 第39-42页 |
| ·反应电流 | 第42-44页 |
| ·反应时间 | 第44-48页 |
| ·SiC纳米线的生长热力学与生长机理 | 第48-54页 |
| ·SiC纳米线的生长热力学 | 第48-53页 |
| ·SiC纳米线的生长机理 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 SiC纳米线的性能研究 | 第55-60页 |
| ·SiC纳米线的发光性能 | 第55-56页 |
| ·SiC纳米线的场发射性能 | 第56-58页 |
| ·SiC纳米线的光催化性能 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 结论与展望 | 第60-62页 |
| ·结论 | 第60-61页 |
| ·展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 附录 | 第74页 |
