| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 引言 | 第12-19页 |
| 1.1 行业发展趋势及需求 | 第12-13页 |
| 1.2 符号化电路分析的历史 | 第13-14页 |
| 1.3 符号化分析基本原理 | 第14-16页 |
| 1.4 符号化模拟电路仿真器的潜在优势 | 第16-18页 |
| 1.5 工艺偏移低敏感性设计背景 | 第18页 |
| 1.6 本章小结 | 第18-19页 |
| 第二章 CMOS 小信号模型提取 | 第19-38页 |
| 2.1 符号化仿真器关于小信号模型的依赖性 | 第19页 |
| 2.2 CMOS 小信号模型的使用 | 第19-21页 |
| 2.3 小信号模型参数确定 | 第21-23页 |
| 2.3.1 MOS3 与 BSIM 模型的参数对应 | 第22页 |
| 2.3.2 MOS3 与 BSIM 在 SPICE 中的计算方式研究 | 第22-23页 |
| 2.4 小信号模型提取原始网表语法实例及规范说明 | 第23-26页 |
| 2.5 小信号模型提取方法及流程 | 第26-30页 |
| 2.6 小信号模型抽取程序使用范例 | 第30页 |
| 2.7 小信号模型复杂度对精度影响比较 | 第30-37页 |
| 2.7.1 两级运算放大器简单及复杂小信号模型比较测试 | 第31-33页 |
| 2.7.2 折叠级联放大器简单及复杂小信号模型比较测试 | 第33-35页 |
| 2.7.3 三级运算放大器简单及复杂小信号模型比较测试 | 第35-37页 |
| 2.8 本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 工艺偏移低敏感性设计方法 | 第38-49页 |
| 3.1 工艺偏移低敏感性设计需求 | 第38-39页 |
| 3.2 传统考虑良率的多级放大器设计范例 | 第39-42页 |
| 3.3 数值化良率分析 | 第42-45页 |
| 3.4 直观良率分析表示 | 第45-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 良率优化的CMOS 模拟电路多级运算放大器设计 | 第49-66页 |
| 4.1 用符号化仿真器提高模拟电路设计良率 | 第49页 |
| 4.2 简单运算放大器设计流程 | 第49-52页 |
| 4.3 反向嵌套米勒补偿效应多级放大器 | 第52-56页 |
| 4.4 针对良率优化的过量设计 | 第56-60页 |
| 4.4.1 传统过量设计参数调整观察1 | 第56-58页 |
| 4.4.2 传统过量设计参数调整观察2 | 第58-59页 |
| 4.4.3 传统过量设计参数调整观察3 | 第59-60页 |
| 4.5 GRASS 辅助低敏感度高良率设计 | 第60-65页 |
| 4.6 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 结论与研究展望 | 第66-70页 |
| 5.1 结论 | 第66-67页 |
| 5.2 晶体管小信号模型协同调节 | 第67页 |
| 5.3 电路功耗分区域描述 | 第67-68页 |
| 5.4 对电路偏移进行分析和自动优化 | 第68页 |
| 5.5 晶体管工作区变化及警示 | 第68-69页 |
| 5.6 大规模电路的分块仿真处理 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 附录 A GRASS 常规状态正确性验证 | 第74-77页 |
| 附录 B 非正常工作点模型正确性验证 | 第77-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 攻读博士学位期间已发表或录用的论文 | 第85-88页 |
| 上海交通大学学位论文答辩决议书 | 第88页 |
