ADP晶体生长工艺的研究与改进
| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3页 |
| 目录 | 第4-6页 |
| 引言 | 第6-8页 |
| 第一章 文献综述 | 第8-12页 |
| 1.1 ADP晶体简介 | 第8-9页 |
| 1.2 晶体生长机制 | 第9-10页 |
| 1.3 国内研究现状 | 第10-11页 |
| 1.4 国外研究现状 | 第11页 |
| 1.5 本章小结 | 第11-12页 |
| 第二章 影响晶体生长的因素 | 第12-18页 |
| 2.1 溶液pH值对于晶体生长的影响 | 第12页 |
| 2.2 过饱和度对于晶体生长的影响 | 第12-14页 |
| 2.3 杂质对于晶体的影响 | 第14-15页 |
| 2.4 籽晶取向对晶体生长的影响 | 第15-16页 |
| 2.5 溶液搅拌速度对晶体生长的影响 | 第16-17页 |
| 2.6 本章小结 | 第17-18页 |
| 第三章 晶体的快速生长 | 第18-23页 |
| 3.1 生长方法介绍 | 第18页 |
| 3.2 装置介绍 | 第18-19页 |
| 3.3 晶体生长 | 第19-22页 |
| 3.3.1 前期准备工作 | 第19-20页 |
| 3.3.2. 晶体生长方案 | 第20页 |
| 3.3.3 生长现象观察 | 第20-21页 |
| 3.3.4 结果分析 | 第21-22页 |
| 3.4 本章小结 | 第22-23页 |
| 第四章 全方位晶体生长 | 第23-28页 |
| 4.1 全方位生长方法来源 | 第23页 |
| 4.2 改进过程 | 第23-25页 |
| 4.2.1 使用铂金丝固定籽晶 | 第23-24页 |
| 4.2.2 使用籽晶架固定籽晶 | 第24-25页 |
| 4.3 晶体生长 | 第25-26页 |
| 4.3.1 使用铂金丝固定籽晶 | 第25-26页 |
| 4.3.2 使用籽晶架固定籽晶 | 第26页 |
| 4.4 未来研究设想 | 第26-27页 |
| 4.5 本章小结 | 第27-28页 |
| 第五章 测试分析 | 第28-39页 |
| 5.1 透过率 | 第28页 |
| 5.2 高分辨X射线衍射 | 第28-29页 |
| 5.3 热分析 | 第29-32页 |
| 5.3.1 差热分析 | 第29-31页 |
| 5.3.2 热重分析 | 第31-32页 |
| 5.4 位错分析 | 第32-34页 |
| 5.5 同步辐射 | 第34-38页 |
| 5.5.1 实验原理 | 第34-35页 |
| 5.5.2 测试方法 | 第35-36页 |
| 5.5.3 实验结果 | 第36-38页 |
| 5.5.4 结果分析 | 第38页 |
| 5.6 本章小结 | 第38-39页 |
| 第六章 结论 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-43页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第43-45页 |
| 致谢 | 第45-46页 |
