| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第10-15页 |
| 1.1.1 AlN薄膜的材料特性 | 第10-13页 |
| 1.1.2 AlN的薄膜制备方法 | 第13-14页 |
| 1.1.3 AlN薄膜的应用前景和发展方向 | 第14-15页 |
| 1.2 国内外AlN薄膜研究概况 | 第15-17页 |
| 1.2.1 光学性能的研究 | 第15-16页 |
| 1.2.2 化学性质的研究 | 第16页 |
| 1.2.3 薄膜声表面波性能研究 | 第16-17页 |
| 1.2.4 择优取向薄膜的制备及取向机理研究 | 第17页 |
| 1.3 本论文的主要研究内容 | 第17-18页 |
| 第2章 射频磁控溅射制备AlN薄膜及其表征 | 第18-26页 |
| 2.1 AlN薄膜的制备 | 第18-24页 |
| 2.1.1 射频磁控溅射理论基础 | 第18-21页 |
| 2.1.2 基本沉积参数与退火温度的选择 | 第21-22页 |
| 2.1.3 实验装置及操作流程 | 第22-24页 |
| 2.2 AlN薄膜的表征技术 | 第24-25页 |
| 2.2.1 X射线衍射技术(XRD) | 第24页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第24-25页 |
| 2.2.3 原子力显微镜(AFM) | 第25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 沉积参数对AlN薄膜性能的影响 | 第26-43页 |
| 3.1 工作气体总压强对AlN薄膜的影响 | 第26-33页 |
| 3.1.1 工作气体总压强对AlN薄膜结晶取向的影响 | 第27-28页 |
| 3.1.2 工作气体总压强对AlN薄膜成分的影响 | 第28-29页 |
| 3.1.3 工作气体总压强对AlN薄膜折射率与膜厚的影响 | 第29-31页 |
| 3.1.4 工作气体总压强对AlN薄膜沉积速率的影响 | 第31-32页 |
| 3.1.5 工作气体总压强对AlN薄膜表面形貌的影响 | 第32-33页 |
| 3.2 衬底温度对AlN薄膜性能的影响 | 第33-38页 |
| 3.2.1 衬底温度对AlN薄膜结晶取向的影响 | 第34-35页 |
| 3.2.2 衬底温度对AlN薄膜折射率的影响 | 第35-36页 |
| 3.2.3 衬底温度对AlN薄膜表面形貌的影响 | 第36-38页 |
| 3.3 射频溅射功率对AlN薄膜性能的影响 | 第38-42页 |
| 3.3.1 射频溅射功率对AlN薄膜的结晶取向的影响 | 第38-39页 |
| 3.3.2 射频溅射功率对AlN薄膜的折射率的影响 | 第39-40页 |
| 3.3.3 射频溅射功率对AlN薄膜的表面形貌的影响 | 第40-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 退火处理对AlN薄膜性能的影响 | 第43-48页 |
| 4.1 退火处理AlN薄膜结晶取向的影响 | 第43-44页 |
| 4.2 退火处理AlN薄膜折射率的影响 | 第44-45页 |
| 4.3 退火处理AlN薄膜表面形貌的影响 | 第45-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54页 |
