| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 热释电红外传感器 | 第12-21页 |
| 1.2.1 热释电材料 | 第12-17页 |
| 1.2.2 热释电红外传感器 | 第17-20页 |
| 1.2.3 基于NDIR原理的四元气体传感器 | 第20-21页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第21-23页 |
| 1.3.1 复合材料研究现状 | 第21-22页 |
| 1.3.2 无铅复合材料研究现状 | 第22-23页 |
| 1.3.3 红外气体传感器研究现状 | 第23页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第23-25页 |
| 第二章 实验基础和方法 | 第25-35页 |
| 2.1 KNN/P(VDF-TrFE)复合材料传感器的制备 | 第25-28页 |
| 2.1.1 KNN粉体制备 | 第25页 |
| 2.1.2 复合材料的制备 | 第25-26页 |
| 2.1.3 复合材料热释电敏感元的制备 | 第26-28页 |
| 2.2 微观结构分析与性能表征 | 第28-35页 |
| 2.2.1 微观结构分析 | 第28-30页 |
| 2.2.2 复合材料厚膜性能表征 | 第30-32页 |
| 2.2.3 传感器性能表征 | 第32-35页 |
| 第三章 KNN/P(VDF-TrFE)复合材料的制备与研究 | 第35-48页 |
| 3.1 KNN/P(VDF-TrFE)复合厚膜制备与表征 | 第35-39页 |
| 3.1.1 KNN粉体制备 | 第35-37页 |
| 3.1.2 KNN/P(VDF-TrFE)复合厚膜制备与极化 | 第37-39页 |
| 3.2 KNN煅烧温度对KNN/P(VDF- TrFE)复合厚膜性能的影响 | 第39-44页 |
| 3.2.1 KNN煅烧温度对复合厚膜导电性能的影响 | 第40页 |
| 3.2.2 KNN煅烧温度对复合厚膜介电性能的影响 | 第40-41页 |
| 3.2.3 KNN煅烧温度对复合厚膜热释电性能的影响 | 第41-42页 |
| 3.2.4 KNN煅烧温度对复合厚膜红外探测优值因子的影响 | 第42-44页 |
| 3.3 KNN质量分数对KNN/P(VDF- TrFE)复合厚膜的影响 | 第44-47页 |
| 3.3.1 KNN质量分数对复合厚膜导电性能的影响 | 第44页 |
| 3.3.2 KNN质量分数对复合厚膜介电性能的影响 | 第44-45页 |
| 3.3.3 KNN质量分数对复合厚膜热释电性能的影响 | 第45页 |
| 3.3.4 KNN质量分数对复合厚膜红外探测优值因子的影响 | 第45-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 复合厚膜四元红外气体传感器研究 | 第48-63页 |
| 4.1 绝热结构对红外传感器性能的影响 | 第48-54页 |
| 4.1.1 不同绝热结构敏感元设计与制备 | 第48-51页 |
| 4.1.2 不同绝热结构敏感元红外传感器性能表征 | 第51-54页 |
| 4.2 电极图形化对“free-standing”结构传感器性能的影响 | 第54-58页 |
| 4.2.1“free-standing”红外传感器电路设计 | 第54-55页 |
| 4.2.2 图形化电极“free-standing”敏感元设计与制备 | 第55-57页 |
| 4.2.3 图形化电极“free-standing”红外传感器性能表征 | 第57-58页 |
| 4.3 四元红外气体传感器的制备与表征 | 第58-61页 |
| 4.3.1 四元红外传感器电路设计 | 第58-59页 |
| 4.3.2 四元红外气体传感器敏感元制备 | 第59页 |
| 4.3.3 四元红外气体传感器性能表征 | 第59-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第69-70页 |
