摘要 | 第5-6页 |
abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-27页 |
1.1 引言 | 第10-11页 |
1.2 聚合物基高介电复合材料的应用 | 第11-13页 |
1.2.1 微型嵌入式电容器 | 第11页 |
1.2.2 电缆 | 第11-12页 |
1.2.3 人工肌肉 | 第12页 |
1.2.4 微波吸收材料 | 第12-13页 |
1.3 PVDF简介 | 第13-14页 |
1.3.1 PVDF微观构型 | 第13页 |
1.3.2 PVDF物理化学性质 | 第13页 |
1.3.3 PVDF介电性能 | 第13页 |
1.3.4 PVDF应用 | 第13-14页 |
1.4 聚合物基高介电复合材料分类 | 第14-15页 |
1.4.1 陶瓷-聚合物复合材料 | 第14-15页 |
1.4.2 导电填料-聚合物复合材料 | 第15页 |
1.5 石墨烯-聚合物高介电复合材料 | 第15-21页 |
1.5.1 石墨烯的性能 | 第15-16页 |
1.5.2 石墨烯的制备 | 第16-18页 |
1.5.3 石墨烯-聚合物高介电复合材料的制备方法 | 第18页 |
1.5.4 石墨烯的修饰 | 第18-21页 |
1.6 石墨-聚合物复合材料 | 第21-24页 |
1.6.1 石墨简介 | 第21页 |
1.6.2 石墨性能 | 第21-22页 |
1.6.3 石墨-聚合物高介电复合材料制备方法 | 第22-23页 |
1.6.4 石墨的修饰 | 第23-24页 |
1.7 二元复合材料介电理论阐述 | 第24-27页 |
1.7.1 麦克斯韦介质方程 | 第24页 |
1.7.2 麦克斯韦-加内特理论 | 第24-25页 |
1.7.3 Brugeman模型 | 第25页 |
1.7.4 D-J理论 | 第25页 |
1.7.5 渗流阈值理论 | 第25-27页 |
第二章 具有三明治结构的二氧化锰/石墨烯纳米片/二氧化锰材料及其制备方法 | 第27-32页 |
2.1 引言 | 第27-28页 |
2.2 实验过程 | 第28页 |
2.2.1 实验材料 | 第28页 |
2.2.2 实验仪器 | 第28页 |
2.2.3 实验过程 | 第28页 |
2.3 制备原理及MGM表征 | 第28-31页 |
2.3.1 制备原理 | 第28-29页 |
2.3.2 MGM透射电子显微镜和扫描电子显微镜表征 | 第29-30页 |
2.3.3 MGM的X光电子能谱、X射线衍射表征 | 第30-31页 |
2.4 本章小结 | 第31-32页 |
第三章 二氧化锰/石墨烯纳米片/二氧化锰-PVDF复合材料的制备及其介电性能 | 第32-41页 |
3.1 引言 | 第32-33页 |
3.2 实验过程 | 第33-35页 |
3.2.1 实验原料 | 第33页 |
3.2.2 实验仪器 | 第33-34页 |
3.2.3 实验步骤 | 第34页 |
3.2.4 石墨烯纳米片-PVDF及MGM-PVDF高介电复合材料介电常数、电导率的计算 | 第34-35页 |
3.3 石墨烯纳米片-PVDF及MGM-PVDF高介电复合材料形貌 | 第35-36页 |
3.4 复合材料介电性能 | 第36-40页 |
3.5 本章小结 | 第40-41页 |
第四章 羟基化石墨粉-PVDF复合材料的制备及电学性质研究 | 第41-52页 |
4.1 引言 | 第41-42页 |
4.2 实验过程 | 第42-45页 |
4.2.1 实验原料 | 第42页 |
4.2.2 实验仪器 | 第42-43页 |
4.2.3 实验步骤 | 第43-44页 |
4.2.4 石墨粉-PVDF及羟基修饰的石墨粉-PVDF复合材料介电常数、电导率的计算 | 第44-45页 |
4.3 修饰前后石墨粉结构表征 | 第45-46页 |
4.3.1 修饰前后石墨粉的X射线光电子能谱表征 | 第45页 |
4.3.2 修饰前后石墨粉的红外光谱表征 | 第45-46页 |
4.4 石墨粉-PVDF、羟基修饰的石墨粉-PVDF复合材料的形貌分析 | 第46页 |
4.5 石墨粉-PVDF、羟基修饰的石墨粉-PVDF高介电复合材料的电学性能 | 第46-51页 |
4.5.1 电导率 | 第46-49页 |
4.5.2 介电性能 | 第49-51页 |
4.6 本章小结 | 第51-52页 |
结论 | 第52-53页 |
参考文献 | 第53-60页 |
攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第60-62页 |
致谢 | 第62页 |