低相位噪声CMOS集成压控振荡器的设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 前言 | 第12-17页 |
| 1.1 研究背景 | 第12-13页 |
| 1.2 压控振荡器的历史、现状和发展趋势 | 第13-15页 |
| 1.2.1 压控振荡器的发展历史 | 第13-14页 |
| 1.2.2 压控振荡器的研究现状及发展趋势 | 第14-15页 |
| 1.3 论文的组织和结构 | 第15-17页 |
| 第2章 LC压控振荡器设计的理论基础 | 第17-38页 |
| 2.1 振荡器的工作原理 | 第17-24页 |
| 2.1.1 双端负反馈系统分析 | 第17-18页 |
| 2.1.2 单端能量补偿系统分析 | 第18-22页 |
| 2.1.3 负阻电路的设计 | 第22-24页 |
| 2.2 压控振荡器种类 | 第24-30页 |
| 2.2.1 差分负阻振荡器 | 第24-28页 |
| 2.2.2 其他压控振荡器 | 第28-30页 |
| 2.3 LCVCO相位噪声模型及分析 | 第30-38页 |
| 2.3.1 相位噪声的定义 | 第30-31页 |
| 2.3.2 相位噪声模型 | 第31-38页 |
| 第3章 可变电容和片上电感设计 | 第38-46页 |
| 3.1 可变电容设计 | 第38-41页 |
| 3.1.1 PN结电容 | 第38-39页 |
| 3.1.2 MOS变容管 | 第39-41页 |
| 3.2 片上电感设计 | 第41-43页 |
| 3.3 片上电感模型 | 第43-45页 |
| 3.4 平面螺旋电感优化方案要点 | 第45-46页 |
| 第4章 低相位噪声、宽频域VCO设计及仿真 | 第46-53页 |
| 4.1 VCO工作区域分析 | 第46-47页 |
| 4.2 LC VCO设计 | 第47-50页 |
| 4.2.1 二次谐波谐振滤波技术 | 第48-49页 |
| 4.2.2 VCO感性压控端技术 | 第49-50页 |
| 4.3 LC VCO电路仿真 | 第50-53页 |
| 第5章 版图设计及后仿真 | 第53-58页 |
| 5.1 引言 | 第53页 |
| 5.2 布局布线 | 第53-55页 |
| 5.3 保护环 | 第55-56页 |
| 5.4 焊盘寄生参数 | 第56页 |
| 5.5 VCO版图设计 | 第56-58页 |
| 总结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
