摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-9页 |
第一章 绪论 | 第12-26页 |
1.1 引言 | 第12页 |
1.2 飞秒激光技术简介 | 第12-13页 |
1.3 瞬态吸收光谱技术简介 | 第13-17页 |
1.4 瞬态光谱技术的研究和应用 | 第17-21页 |
1.5 本论文的主要内容安排 | 第21-23页 |
参考文献 | 第23-26页 |
第二章 实验装置、原理和方法 | 第26-41页 |
2.1 飞秒激光器 | 第26-28页 |
2.2 光学参量放大器 | 第28-30页 |
2.3 瞬态吸收光谱 | 第30-36页 |
2.4 瞬态荧光光谱 | 第36-38页 |
2.5 本章小结 | 第38-39页 |
参考文献 | 第39-41页 |
第三章 一元半导体体系g-C_3N_4空穴转移动力学 | 第41-57页 |
3.1 引言 | 第41-42页 |
3.2 样品制备与表征 | 第42-43页 |
3.3 实验方法 | 第43-44页 |
3.4 实验结果与讨论 | 第44-53页 |
3.5 结论 | 第53-54页 |
参考文献 | 第54-57页 |
第四章 一元半导体体系ZnIn_2S_4缺陷态动力学 | 第57-72页 |
4.1 引言 | 第57-58页 |
4.2 样品制备与表征 | 第58页 |
4.3 实验方法 | 第58-60页 |
4.4 结果与讨论 | 第60-67页 |
4.5 结论 | 第67-69页 |
参考文献 | 第69-72页 |
第五章 二元半导体体系BiOCl/g-C_3N_4界面电荷转移动力学 | 第72-87页 |
5.1 引言 | 第72-74页 |
5.2 样品制备与表征 | 第74页 |
5.3 实验方法 | 第74-76页 |
5.4 结果与讨论 | 第76-82页 |
5.5 结论 | 第82-83页 |
参考文献 | 第83-87页 |
第六章 二元半导体体系Gaphene/TiO_2界面电荷转移动力学 | 第87-102页 |
6.1 引言 | 第87-88页 |
6.2 样品制备与表征 | 第88-89页 |
6.3 实验方法 | 第89-90页 |
6.4 结果与讨论 | 第90-98页 |
6.5 结论 | 第98-99页 |
参考文献 | 第99-102页 |
第七章 结论 | 第102-105页 |
致谢 | 第105-108页 |
攻读博士期间已发表及待发表的文章目录 | 第108-110页 |
参加学术会议情况 | 第110页 |