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纳米分级结构MoS2基复合气敏元件的直接构筑及其性能研究

摘要第8-10页
Abstract第10-11页
第一章 绪论第12-24页
    1.1 气敏传感器简介第12-15页
        1.1.1 气敏传感器的发展现状第12-14页
        1.1.2 气敏传感器的工作原理第14-15页
    1.2 MoS_2简介第15-20页
        1.2.1 MoS_2特性及应用第15-17页
        1.2.2 MoS_2的制备方法第17-19页
        1.2.3 MoS_2气敏传感器的研究现状第19-20页
    1.3 气敏性能测试第20-21页
        1.3.1 三乙胺气体简介第20页
        1.3.2 常用的气敏增敏方法第20-21页
        1.3.3 气敏性能测试参数和测试方法第21页
    1.4 本论文的研究内容第21-24页
第二章 实验部分第24-30页
    2.1 实验原料和相关设备第24-25页
    2.2 材料表征手段第25-27页
        2.2.1 场发射扫描电子显微镜(FESEM)和能谱分析(EDS)第25页
        2.2.2 X射线衍射分析(XRD)第25-26页
        2.2.3 透射电子显微镜(TEM)第26页
        2.2.4 热重-差热分析(TG-DTA)第26页
        2.2.5 X射线光电子能谱分析(XPS)第26-27页
    2.3 气敏性能测试第27-30页
        2.3.1 测试系统介绍第27页
        2.3.2 气敏元件简介第27-30页
第三章 分级结构MoS_2在陶瓷管上直接生长及其气敏性能的研究第30-42页
    3.1 引言第30-31页
    3.2 实验部分第31-33页
        3.2.1 MoS_2籽晶层溶液的制备及其在陶瓷管表面的附着第31页
        3.2.2 分级结构MoS_2在陶瓷管上的直接生长第31-33页
        3.2.3 分级结构MoS_2的表征及其气敏性能的测试第33页
    3.3 结果与讨论第33-40页
        3.3.1 不同实验原料制备的MoS_2结果对比第33-34页
        3.3.2 MoS_2纳米花球在陶瓷管表面生长过程的研究第34页
        3.3.3 控制实验条件对MoS_2纳米花球生长的影响第34-40页
            3.3.3.1 形貌及结构表征第34-36页
            3.3.3.2 MoS_2纳米花球的气敏性能测试第36-39页
            3.3.3.3 MoS_2纳米花球的气敏响应过程和机理分析第39-40页
    3.4 本章小结第40-42页
第四章 Au纳米颗粒修饰MoS_2纳米花球及其气敏性能的研究第42-52页
    4.1 引言第42页
    4.2 实验部分第42-43页
        4.2.1 MoS_2纳米花球在陶瓷管上的直接生长第42页
        4.2.2 Au纳米颗粒在MoS_2纳米花球上的复合第42-43页
        4.2.3 Au/MoS_2纳米花球的表征及其气敏性能测试第43页
    4.3 结果讨论第43-46页
    4.4 气敏性能和原理分析第46-51页
        4.4.1 气敏测试结果第46-50页
        4.4.2 气敏响应原理分析第50-51页
    4.5 本章小结第51-52页
第五章 Au@SnO_2/MoS_2气敏传感器的制备及性能的研究第52-70页
    5.1 引言第52-53页
    5.2 实验部分第53页
        5.2.1 MoS_2纳米花球在陶瓷管上的制备第53页
        5.2.2 SnO_2纳米颗粒与MoS_2纳米花球的复合第53页
    5.3 材料的表征其气敏性能测试方法第53页
    5.4 气敏测试第53-68页
        5.4.1 不同复合量的SnO_2/MoS_2纳米花球气敏性能研究第53-59页
            5.4.1.1 表征结果第54-55页
            5.4.1.2 气敏性能测试结果第55-59页
        5.4.2 三元Au@SnO_2/MoS_2纳米花球气敏传感器第59-68页
            5.4.2.1 表征结果第60-63页
            5.4.2.2 气敏性能测试结果第63-67页
            5.4.2.3 气敏机理分析第67-68页
    5.5 本章小结第68-70页
第六章 结论与展望第70-72页
    6.1 总结第70-71页
    6.2 展望第71-72页
参考文献第72-80页
致谢第80-82页
附录第82页

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