| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-15页 |
| ·研究背景 | 第10-11页 |
| ·国内外研究现状 | 第11-14页 |
| ·本文研究的主要内容及安排 | 第14-15页 |
| 第二章 硅基MEMS 天线的理论分析 | 第15-27页 |
| ·分析方法的对比 | 第16-23页 |
| ·传输线法 | 第16-19页 |
| ·腔模理论法 | 第19-21页 |
| ·积分方程法 | 第21页 |
| ·矩量法 | 第21页 |
| ·其它数值方法 | 第21-23页 |
| ·以上几种分析方法的对比 | 第23页 |
| ·硅基材料对天线性能影响的分析 | 第23-27页 |
| ·贴片及馈线的导体损耗 | 第24-25页 |
| ·介质的介电损耗 | 第25页 |
| ·表面波损耗 | 第25-26页 |
| ·硅基底的电阻性损耗 | 第26页 |
| ·界面损耗 | 第26-27页 |
| 第三章 硅基MEMS 天线的设计 | 第27-34页 |
| ·硅基MEMS 天线的理论设计 | 第27-30页 |
| ·贴片尺寸的设计 | 第27-28页 |
| ·天线增益的计算 | 第28页 |
| ·天线方向图的计算 | 第28页 |
| ·天线辐射效率的计算 | 第28-30页 |
| ·硅基MEMS 天线的计算机仿真 | 第30-34页 |
| 第四章 硅基MEMS 天线的制作与测试 | 第34-46页 |
| ·硅基MEMS 天线工艺设计 | 第35-36页 |
| ·性能测试 | 第36-40页 |
| ·实验室测试结果 | 第36-40页 |
| ·实验数据分析 | 第40页 |
| ·降低硅基材料影响的方法 | 第40-43页 |
| ·误差分析与控制 | 第43-46页 |
| ·微带天线单元的误差分析 | 第44-45页 |
| ·微带天线阵的误差分析 | 第45-46页 |
| 第五章 全向波束赋形天线理论分析 | 第46-54页 |
| ·阵列天线综合理论 | 第46-50页 |
| ·经典阵列综合理论 | 第46-49页 |
| ·二次型综合理论 | 第49页 |
| ·自适应综合理论 | 第49-50页 |
| ·多波束合成技术 | 第50-52页 |
| ·多波束阵列模型 | 第50-51页 |
| ·经典理论在多波束中的应用 | 第51-52页 |
| ·自适应理论在多波束中的应用 | 第52页 |
| ·波束赋形技术 | 第52-54页 |
| 第六章 硅基MEMS C 波段全向波束赋形天线设计 | 第54-60页 |
| ·硅基MEMS C 波段天线单元设计 | 第54-56页 |
| ·硅基MEMS C 波段天线阵列设计 | 第56-57页 |
| ·硅基MEMS C 波段天线阵列馈电网络设计 | 第57-59页 |
| ·硅基MEMS C 波段全向波束赋形天线的实现 | 第59-60页 |
| 第七章 总结与展望 | 第60-62页 |
| ·全文总结 | 第60-61页 |
| ·问题与展望 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第66-67页 |