| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-26页 |
| 1.1 研究背景 | 第16-22页 |
| 1.1.1 GaN HEMT器件特性 | 第16-18页 |
| 1.1.2 器件模型的重要性 | 第18-21页 |
| 1.1.3 T/R组件的应用需求 | 第21-22页 |
| 1.2 GaN基SPDT的发展现状 | 第22-24页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第22-23页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第23-24页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第24-26页 |
| 第二章 GaN HEMT开关器件结构及其影响因素研究 | 第26-44页 |
| 2.1 GaN HEMT开关器件的工作原理 | 第26-27页 |
| 2.2 器件结构对性能的影响研究 | 第27-43页 |
| 2.2.1 源漏间距对开关器件性能的影响 | 第28-30页 |
| 2.2.2 栅极宽度对器件性能的影响 | 第30-32页 |
| 2.2.3 栅极外加电阻对器件性能的影响 | 第32-38页 |
| 2.2.4 单栅与双栅结构对器件性能的影响 | 第38-39页 |
| 2.2.5 栅极长度对器件性能的影响 | 第39-41页 |
| 2.2.6 单管与双管串联结构对器件性能的影响 | 第41-43页 |
| 2.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 第三章 GaN HEMT开关器件小信号等效电路建模 | 第44-56页 |
| 3.1 GaN HEMT开关器件小信号模型 | 第44-46页 |
| 3.2 开关器件小信号模型参数提取 | 第46-53页 |
| 3.2.1 寄生电容的提取 | 第46-49页 |
| 3.2.2 寄生电阻与电感的提取 | 第49-51页 |
| 3.2.3 本征参数提取 | 第51-53页 |
| 3.3 模型的拟合与准确性评估 | 第53-55页 |
| 3.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 DC-6GHz GaN基单刀双掷开关电路 | 第56-72页 |
| 4.1 射频开关电路的主要技术指标 | 第56-60页 |
| 4.1.1 插入损耗 | 第56-57页 |
| 4.1.2 隔离度 | 第57-58页 |
| 4.1.3 工作频段 | 第58页 |
| 4.1.4 功率容量 | 第58-59页 |
| 4.1.5 开关时间 | 第59-60页 |
| 4.2 DC-6GHz GaN基单刀双掷开关电路 | 第60-71页 |
| 4.2.1 设计流程 | 第60-61页 |
| 4.2.2 指标分析 | 第61-63页 |
| 4.2.3 电路拓扑结构 | 第63-64页 |
| 4.2.4 开关器件的选择 | 第64-65页 |
| 4.2.5 原理图仿真 | 第65-66页 |
| 4.2.6 版图与原理图联合仿真 | 第66-68页 |
| 4.2.7 版图绘制 | 第68页 |
| 4.2.8 电路实测 | 第68-71页 |
| 4.3 本章小结 | 第71-72页 |
| 第五章 总结与展望 | 第72-74页 |
| 附图 | 第74-78页 |
| 参考文献 | 第78-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 作者简介 | 第85-86页 |