表面等离子体共振调制器的研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 表面等离子体的研究进展 | 第11-19页 |
| 1.2.1 表面等离子体的发展现状 | 第11-17页 |
| 1.2.2 表面等离子体在调制器中的应用 | 第17-19页 |
| 1.3 调制器未来发展方向 | 第19-20页 |
| 1.4 论文主要研究内容 | 第20-22页 |
| 第2章 表面等离子体基本理论的研究 | 第22-36页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 金属的光学性质 | 第22-25页 |
| 2.3 表面等离子体波理论 | 第25-29页 |
| 2.3.1 表面等离子体波基本概念 | 第25-26页 |
| 2.3.2 表面等离子体波的色散特性 | 第26-29页 |
| 2.4 表面等离子体波的激发方式 | 第29-30页 |
| 2.5 时域有限差分法 | 第30-35页 |
| 2.5.1 Maxwell方程及Yee氏网格 | 第31-32页 |
| 2.5.2 三维时域有限差分方法分析 | 第32-34页 |
| 2.5.3 吸收边界条件 | 第34-35页 |
| 2.6 本章小结 | 第35-36页 |
| 第3章 金属纳米线阵列全光调制器 | 第36-51页 |
| 3.1 引言 | 第36页 |
| 3.2 SPR多层膜反射理论分析 | 第36-39页 |
| 3.3 SPR反射角谱曲线特性分析 | 第39-40页 |
| 3.4 长程SPR理论分析 | 第40-43页 |
| 3.5 全光调制结构性能分析 | 第43-49页 |
| 3.5.1 金属纳米线阵列全光调制结构设计 | 第43-45页 |
| 3.5.2 金属纳米线直径对调制器耦合特性的影响 | 第45-46页 |
| 3.5.3 缓冲层厚度对调制器耦合性能的影响 | 第46-47页 |
| 3.5.4 温度对调制器耦合特性的影响 | 第47页 |
| 3.5.5 金属纳米颗粒对调制器耦合特性的影响 | 第47-48页 |
| 3.5.6 泵浦光功率对调制器耦合特性的影响 | 第48-49页 |
| 3.6 本章小结 | 第49-51页 |
| 第4章 金属纳米线阵列电光调制器 | 第51-61页 |
| 4.1 引言 | 第51页 |
| 4.2 电光调制器的主要参数 | 第51-52页 |
| 4.2.1 调制效率 | 第51-52页 |
| 4.2.2 调制带宽 | 第52页 |
| 4.2.3 单位带宽驱动功率 | 第52页 |
| 4.2.4 插入损耗 | 第52页 |
| 4.3 基于共面波导电极的电光调制器 | 第52-54页 |
| 4.3.1 共面波导电极 | 第52-54页 |
| 4.3.2 共面波导调制器工作机制 | 第54页 |
| 4.4 电光调制性能分析 | 第54-60页 |
| 4.4.1 电光调制结构设计 | 第54-55页 |
| 4.4.2 电光调制结构的场分布 | 第55-56页 |
| 4.4.3 结构参数优化 | 第56-58页 |
| 4.4.4 电光调制器特性 | 第58-60页 |
| 4.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-70页 |
| 攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
