| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 课题背景 | 第8页 |
| 1.2 多晶硅产业发展 | 第8-10页 |
| 1.3 多晶硅生产工艺 | 第10-16页 |
| 1.3.1 西门子法 | 第10-12页 |
| 1.3.2 硅烷法 | 第12-15页 |
| 1.3.3 冶金法 | 第15-16页 |
| 1.4 本课研究的意义和内容 | 第16-17页 |
| 第二章 还原炉结构设计 | 第17-26页 |
| 2.1 传统还原炉结构 | 第17-18页 |
| 2.2 还原炉的改进 | 第18-21页 |
| 2.2.1 还原炉冷却系统的改进 | 第19页 |
| 2.2.2 内胆结构设计 | 第19-20页 |
| 2.2.3 底盘结构的改进 | 第20-21页 |
| 2.3 初期结构模拟 | 第21-25页 |
| 2.3.1 底盘有限元分析 | 第22页 |
| 2.3.2 底盘模拟结果 | 第22-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 计算流体力学模型理论与数值模拟方法 | 第26-33页 |
| 3.1 流体力学控制方程 | 第26-28页 |
| 3.2 湍流模型的选择 | 第28-31页 |
| 3.2.1 一方程模型 | 第28-29页 |
| 3.2.2 标准k-ε模型 | 第29页 |
| 3.2.3 重组化群k-ε模型 | 第29-30页 |
| 3.2.4 可实现k-ε模型 | 第30页 |
| 3.2.5 雷诺应力模型 | 第30-31页 |
| 3.3 传热分析的选择 | 第31-32页 |
| 3.3.1 热传导 | 第31页 |
| 3.3.2 热对流 | 第31页 |
| 3.3.3 热辐射 | 第31-32页 |
| 3.4 近壁面区模型选择 | 第32页 |
| 3.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 还原炉底盘内部流场计算方法 | 第33-46页 |
| 4.1 SolidWorks底盘模型建立 | 第33-35页 |
| 4.2 ANSYS底盘模型建立 | 第35-36页 |
| 4.3 网格的划分 | 第36-39页 |
| 4.3.1 网格生成方法 | 第36-37页 |
| 4.3.2 流场区域网格划分 | 第37-39页 |
| 4.4 底盘的流场设置与求解 | 第39-43页 |
| 4.4.1 设置边界条件 | 第39-41页 |
| 4.4.2 材料属性设置 | 第41页 |
| 4.4.3 求解器的设置 | 第41-43页 |
| 4.5 底盘的FLUENT收敛判据 | 第43-45页 |
| 4.6 本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 Fluent模拟结果分析 | 第46-63页 |
| 5.1 不同进口流量下底盘内部流场、温度场行为特征 | 第46-54页 |
| 5.1.1 进口流量225t/h情况流场行为特征 | 第46-49页 |
| 5.1.2 不同进口流量流场行为特征对比 | 第49-53页 |
| 5.1.3 不同进口流量情况对比总结 | 第53-54页 |
| 5.2 均匀系数 | 第54-62页 |
| 5.2.1 上花板温度场均匀系数 | 第54-56页 |
| 5.2.2 不同进口流量条件下的均匀系数 | 第56-62页 |
| 5.3 文章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 结论 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第69-70页 |
| 附录 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72页 |