| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| 1.1 前言 | 第12-13页 |
| 1.2 黑硅及其制备方法 | 第13-22页 |
| 1.2.1 湿法刻蚀 | 第15-16页 |
| 1.2.2 反应离子刻蚀 | 第16-18页 |
| 1.2.3 飞秒激光刻蚀 | 第18-19页 |
| 1.2.4 气-液-固生长 | 第19-21页 |
| 1.2.5 金属辅助的化学刻蚀 | 第21-22页 |
| 1.3 金属纳米阵列及其制备方法 | 第22-25页 |
| 1.3.1 电子束曝光 | 第22-23页 |
| 1.3.2 聚焦离子束刻蚀 | 第23页 |
| 1.3.3 纳米压印技术 | 第23-24页 |
| 1.3.4 纳米球刻印 | 第24-25页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第25-26页 |
| 第二章 基于纳米球刻印法可控制备金纳米结构阵列 | 第26-46页 |
| 2.1 引言 | 第26-27页 |
| 2.2 金纳米孔阵列的按需制备 | 第27-35页 |
| 2.2.1 硅片的清洗 | 第27-29页 |
| 2.2.2 单层密排纳米球阵列的制备 | 第29-30页 |
| 2.2.3 非密排PS球模板的按需制备 | 第30-33页 |
| 2.2.4 电子束蒸发制备Au纳米孔阵列 | 第33-35页 |
| 2.3 金纳米圆盘阵列的可控制备 | 第35-42页 |
| 2.3.1 金纳米圆盘阵列的制备方法 | 第35-37页 |
| 2.3.2 磁控溅射中Ar离子对PS球的损伤 | 第37-38页 |
| 2.3.3 高质量、可控金纳米圆盘阵列的形成 | 第38-42页 |
| 2.4 金纳米环阵列的制备 | 第42-44页 |
| 2.4.1 金环的阵列的发现和形成机理 | 第42-43页 |
| 2.4.2 不同周期与尺寸金环阵列的制备 | 第43-44页 |
| 2.5 本章小结 | 第44-46页 |
| 第三章 金属辅助的化学刻蚀制备硅纳米结构阵列 | 第46-62页 |
| 3.1 引言 | 第46-47页 |
| 3.2 MACE法按需制备硅纳米线阵列 | 第47-52页 |
| 3.2.1 MACE技术及其刻蚀影响因素 | 第47-49页 |
| 3.2.2 指定直径的硅纳米线阵列的实现 | 第49-50页 |
| 3.2.3 低填充比的Si纳米线阵列的制备 | 第50-52页 |
| 3.3 硅纳米孔阵列的可控制备 | 第52-58页 |
| 3.3.1 硅纳米孔阵列的制备方法 | 第52-54页 |
| 3.3.2 Au圆盘刻蚀方向影响因素的控制 | 第54-57页 |
| 3.3.3 不同尺寸的硅纳米孔阵列的制备 | 第57-58页 |
| 3.4 硅纳米孔中线阵列制备的初步探索 | 第58-59页 |
| 3.5 本章小结 | 第59-62页 |
| 第四章 硅纳米线和纳米孔阵列的光学性能研究 | 第62-72页 |
| 4.1 引言 | 第62-63页 |
| 4.2 硅纳米线阵列的光学性能研究 | 第63-67页 |
| 4.2.1 理论模拟方法 | 第63-64页 |
| 4.2.2 Si NWAs光学性能的仿真和实验结果分析 | 第64-67页 |
| 4.3 硅纳米孔阵列的光学性能研究 | 第67-70页 |
| 4.3.1 Si NHAs光学性能的仿真和实验结果分析 | 第67-68页 |
| 4.3.2 Si NWAs和Si NHAs的光学性能对比 | 第68-70页 |
| 4.4 本章小结 | 第70-72页 |
| 第五章 全文总结 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-82页 |
| 致谢 | 第82-84页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第84页 |
