| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 引言 | 第10-11页 |
| 1 文献综述 | 第11-30页 |
| 1.1 硅钢的发展史及其性能 | 第12-17页 |
| 1.2 Fe-Si 合金的制作方法 | 第17-24页 |
| 1.2.1 轧制法 | 第19-21页 |
| 1.2.2 快凝法 | 第21-23页 |
| 1.2.3 化学气相沉积法(CVD 法) | 第23页 |
| 1.2.4 等离子体化学气相沉积法(PCVD 法) | 第23页 |
| 1.2.5 熔盐电沉积法 | 第23-24页 |
| 1.3 熔盐电沉积技术 | 第24-30页 |
| 2 FClNaK-SiO_2体系电沉积硅 | 第30-41页 |
| 2.1 简介 | 第30页 |
| 2.2 FClNaK-SiO_2体系熔点的研究 | 第30-34页 |
| 2.3 FClNaK-SiO_2 熔盐体系电沉积硅的研究 | 第34-36页 |
| 2.4 FClNaK-SiO_2 体系的经济价值 | 第36-40页 |
| 2.4.1 两种熔盐体系电沉积硅的比较 | 第36-39页 |
| 2.4.2 相对于气相沉积的优点 | 第39-40页 |
| 2.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 3 熔盐电沉积法渗硅工艺条件的研究 | 第41-62页 |
| 3.1 实验过程 | 第41-45页 |
| 3.2 实验结果及分析 | 第45-61页 |
| 3.2.1 电沉积时间对渗镀层的影响 | 第51-54页 |
| 3.2.2 电流密度对渗镀层的影响 | 第54-55页 |
| 3.2.3 电沉积温度对渗镀层的影响 | 第55-59页 |
| 3.2.4 电沉积条件对表面结构的影响 | 第59-60页 |
| 3.2.5 最佳方案的选择 | 第60-61页 |
| 3.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 4 退火制备Fe-6.5wt% Si 薄板的扩散过程 | 第62-68页 |
| 4.1 退火工艺基本条件 | 第63-64页 |
| 4.1.1 退火温度的确定 | 第63-64页 |
| 4.1.2 退火设备设计 | 第64页 |
| 4.2 退火工艺渗硅 | 第64-67页 |
| 4.3 本章小结 | 第67-68页 |
| 结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 附录A 成分分析结果 | 第73-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 导师简介 | 第78-79页 |
| 作者简介 | 第79-80页 |
| 学位论文数据集 | 第80页 |
