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瓦斯气体在碳化硅表面的吸附动力学研究

摘要第3-5页
ABSTRACT第5-6页
1 绪论第10-14页
    1.1 研究背景及意义第10页
    1.2 国内外研究现状第10-13页
        1.2.1 碳化硅表面研究现状第10-11页
        1.2.2 碳化硅表面吸附研究现状第11-12页
        1.2.3 碳化硅表面掺杂研究现状第12页
        1.2.4 存在不足第12-13页
    1.3 主要研究内容第13-14页
2 理论基础及计算方法第14-20页
    2.1 第一性原理概要第14-18页
        2.1.1 Hartree-Fock近似第14-15页
        2.1.2 密度泛函理论DFT(Density Functional Theory)第15-17页
        2.1.3 赝势方法第17-18页
        2.1.4 确定化学反应路径和寻找过渡态的方法第18页
    2.2 MS软件及CASTEP模块和DMol3介绍:第18-20页
        2.2.1 CASTEP软件包第18-19页
        2.2.2 CASTEP的相关设置第19页
        2.2.3 DMol3模块介绍第19-20页
3 表面吸附和表面模型第20-22页
    3.1 表面吸附第20-21页
        3.1.1 表面吸附第20页
        3.1.2 脱氢吸附第20-21页
    3.2 计算模型的构建第21-22页
4 CO分子在SiC(001)表面的吸附第22-45页
    4.1 CO分子在SiC(001)-(2×2)表面的吸附第22-28页
        4.1.1 SiC(001)-(2×2)以及CO分子在SiC(001)-(2×2)表面吸附的结构第22-23页
        4.1.2 CO分子在SiC(001)-(2×2)表面的吸附能及结构参数变化第23-24页
        4.1.3 CO分子在SiC(001)-(2×2)表面吸附时电荷转移第24-26页
        4.1.4 CO分子吸附在SiC(001)-(2×2)表面的态密度分析第26-27页
        4.1.5 CO分子吸附在SiC(001)-(2×2)表面的前线轨道分析第27-28页
    4.2 CO分子在SiC(001)-(3×2)表面的吸附第28-34页
        4.2.1 SiC(001)-(3×2)结构以及CO分子在SiC(001)-(3×2)表面吸附的结构第28-29页
        4.2.2 CO分子在SiC(001)-(3×2)表面的吸附能及结构参数变化第29-30页
        4.2.3 CO分子在SiC(001)-(3×2)表面吸附时电荷转移第30-32页
        4.2.4 CO分子吸附在SiC(001)-(3×2)表面的态密度分析第32-33页
        4.2.5 CO分子吸附在SiC(001)-(3×2)表面的前线轨道分析第33-34页
    4.3 CO分子在SiC(001)-(3×3)表面吸附第34-39页
        4.3.1 SiC(001)-(3×3)及CO分子在SiC(001)-(3×3)表面吸附的结构第34-35页
        4.3.2 CO分子在SiC(001)-(3×3)表面的吸附能及结构参数变化第35页
        4.3.3 CO分子在SiC(001)-(3×3)表面吸附时电荷转移第35-37页
        4.3.4 CO分子吸附在SiC(001)-(3×3)表面的态密度分析第37-38页
        4.3.5 CO分子吸附在SiC(001)-(3×3)表面的前线轨道分析第38-39页
    4.4 CO分子以三种不同覆盖度在SiC(001)表面的吸附情况比较第39-40页
    4.5 掺入不同浓度铝原子之后SiC(001)-(2×2)结构第40-42页
        4.5.1 掺入不同浓度铝原子后SiC(001)-(2×2)结构图第40-41页
        4.5.2 SiC(001)-(2×2)结构掺入不同浓度铝原子时电荷布居数及能量的比较第41-42页
    4.6 表面掺杂铝原子后不同吸附的结构图第42-45页
        4.6.1 铝原子掺杂比为 0.25时CO分子吸附在SiC(001)-(2×2)表面的结构第42页
        4.6.2 CO分子在铝原子掺杂比 0.25的SiC(001)-(2×2)表面的吸附能及结构参数变化第42-43页
        4.6.3 CO分子在铝原子掺杂比为 0.25时SiC(001)-(2×2)表面的态密度图第43-45页
5 甲氧基分子在SiC(001)表面的吸附第45-62页
    5.1 CH_3O分子在SiC(001)-(2×2)表面的吸附第45-50页
        5.1.1 CH_3O分子在SiC(001)-(2×2)不同位置的吸附结构第45页
        5.1.2 CH_3O分子在SiC(001)-(2×2)表面的吸附能及结构参数变化第45-46页
        5.1.3 CH_3O分子在SiC(001)-(2×2)表面吸附时电荷转移第46-47页
        5.1.4 CH_3O分子吸附在SiC(001)-(2×2)表面不同位置的态密度第47-49页
        5.1.5 CH_3O分子吸附在SiC(001)-(2×2)表面的前线轨道分析第49-50页
    5.2 CH_3O分子在SiC(001)-(3×2)表面的吸附第50-55页
        5.2.1 CH_3O分子在SiC(001)-(3×2)表面吸附结构第50页
        5.2.2 CH_3O分子在SiC(001)-(3×2)表面的吸附能及结构参数变化第50-51页
        5.2.3 CH_3O分子在SiC(001)-(3×2)表面吸附时电荷转移第51-52页
        5.2.4 CH_3O分子吸附在SiC(001)-(3×2)表面不同位置的态密度第52-54页
        5.2.5 CH_3O分子吸附在SiC(001)-(3×2)表面的前线轨道分析第54-55页
    5.3 CH_3O分子在SiC(001)-(3×3)表面的吸附第55-60页
        5.3.1 CH_3O分子在SiC(001)-(3×3)表面吸附结构第55页
        5.3.2 CH_3O分子在SiC(001)-(3×3)表面的吸附能及结构参数变化第55-56页
        5.3.3 CH_3O分子在SiC(001)-(3×3)表面吸附时电荷转移第56-57页
        5.3.4 CH_3O分子吸附在SiC(001)-(3×3)表面不同位置的态密度第57-59页
        5.3.5 CH_3O分子吸附在SiC(001)-(3×3)表面的前线轨道分析第59-60页
    5.4 CH_3O分子以三种不同覆盖度在SiC(001)表面的吸附情况比较第60-62页
6 CH4吸附在SiC(001)-(3×3)表面的脱氢吸附第62-66页
    6.1 CH_4-CH_3+H第62-63页
    6.2 CH_3-CH_2+H第63-64页
    6.3 CH_2-CH+H第64-65页
    6.4 CH-C+H第65-66页
7 结论与展望第66-68页
    7.1 结论第66-67页
    7.2 展望第67-68页
致谢第68-69页
参考文献第69-72页
附录第72页

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