多级闪存的数据表示方案及差错控制技术研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 缩略语对照表 | 第10-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-19页 |
| 1.1 课题背景及面临的问题 | 第13-14页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第14-17页 |
| 1.2.1 闪存单元的研究现状 | 第14-15页 |
| 1.2.2 差错控制技术的相关研究 | 第15-16页 |
| 1.2.3 数据表示的相关研究 | 第16-17页 |
| 1.3 研究意义与应用前景 | 第17-18页 |
| 1.4 本文主要研究工作和内容安排 | 第18-19页 |
| 第二章 多级闪存特性与纠错技术 | 第19-29页 |
| 2.1 闪存基础 | 第19-22页 |
| 2.1.1 闪存的基本结构 | 第19页 |
| 2.1.2 单级与多级闪存 | 第19-21页 |
| 2.1.3 NOR型与NAND型闪存 | 第21-22页 |
| 2.2 NAND型多级闪存的操作模型 | 第22-23页 |
| 2.3 NAND型多级闪存的错误类型 | 第23-25页 |
| 2.4 NAND型闪存的主要纠错技术 | 第25-26页 |
| 2.4.1 纠错技术分类 | 第25-26页 |
| 2.4.2 BCH纠错码 | 第26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-29页 |
| 第三章 基于多级闪存的双向有限大小错误纠错算法 | 第29-37页 |
| 3.1 NAND型多级闪存纠错基础 | 第29-30页 |
| 3.2 双向有限大小错误信道 | 第30-31页 |
| 3.3 双向有限大小纠错码 | 第31-35页 |
| 3.3.1 编码 | 第31-32页 |
| 3.3.2 译码 | 第32-35页 |
| 3.4 仿真结果及分析 | 第35-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 基于多级闪存的数据表示方案 | 第37-57页 |
| 4.1 多级闪存的传统数据表示方案 | 第37-40页 |
| 4.1.1 闪存的重写 | 第37-38页 |
| 4.1.2 传统表示方案 | 第38-40页 |
| 4.2 等级调制方案 | 第40-43页 |
| 4.2.1 方案的提出 | 第40-41页 |
| 4.2.2 方案的内容 | 第41-43页 |
| 4.3 等级调制码的构造 | 第43-53页 |
| 4.3.1 通过格雷码构造 | 第43-46页 |
| 4.3.2 通过自由前缀树构造 | 第46-53页 |
| 4.4 仿真结果及分析 | 第53-56页 |
| 4.4.1 传统表示方案与等级调制方案的性能对比 | 第53-55页 |
| 4.4.2 自由前缀树构造等级调制码的性能分析 | 第55-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 结论与展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 作者简介 | 第65-66页 |
