| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 综述 | 第6-20页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第6-7页 |
| 1.2 第四代先进反应堆 | 第7-8页 |
| 1.3 聚变反应堆 | 第8-11页 |
| 1.4 聚变堆材料及辐照模拟研究 | 第11-15页 |
| 1.5 带电粒子辐照效应 | 第15-18页 |
| 1.6 本文的主要工作 | 第18-20页 |
| 第二章 实验表征方法 | 第20-35页 |
| 2.1 离子束分析方法(IBA) | 第20-25页 |
| 2.1.1 卢瑟福背散射分析(RBS) | 第21-25页 |
| 2.2 X射线衍射(XRD) | 第25-28页 |
| 2.2.1 XRD原理介绍 | 第25-26页 |
| 2.2.2 同步辐射XRD掠入射衍射实验简介 | 第26-28页 |
| 2.3 纳米压痕技术(Nanoindentation) | 第28-31页 |
| 2.3.1 纳米压痕试验原理 | 第29-31页 |
| 2.4 扫描电子显微镜(SEM) | 第31-33页 |
| 2.5 透射电子显微镜(TEM) | 第33-35页 |
| 第三章 Ti_3SiC_2 MAX相材料带电粒子辐照行为的研究 | 第35-55页 |
| 3.1 C离子辐照Ti_3SiC_2MAX相材料的研究 | 第36-52页 |
| 3.1.1 Ti_3SiC_2 MAX相材料样品的制备 | 第36页 |
| 3.1.2 C离子辐照Ti_3SiC_2样品的实验参数 | 第36-38页 |
| 3.1.3 C离子辐照Ti_3SiC_2样品的掠入射XRD分析 | 第38-45页 |
| 3.1.4 C离子辐照Ti_3SiC_2样品的表面硬度分析 | 第45-49页 |
| 3.1.5 C离子辐照Ti_3SiC_2样品的扫描电镜与透射电镜分析 | 第49-52页 |
| 3.2 Si离子辐照Ti_3SiC_2MAX相材料的研究 | 第52-54页 |
| 3.2.1 Si离子辐照MAX相材料(Ti_3SiC_2)的实验参数 | 第52-53页 |
| 3.2.2 Si离子辐照Ti_3SiC_2 MAX相材料的掠入射XRD分析 | 第53页 |
| 3.2.3 Si离子辐照Ti_3SiC_2 MAX相材料的扫描电镜分析 | 第53-54页 |
| 3.3 小结 | 第54-55页 |
| 第四章 Ti_3SiC_2 MAX相材料中He行为的研究 | 第55-66页 |
| 4.1 Ti_3SiC_2 MAX相材料的氦离子注入研究 | 第55-61页 |
| 4.1.1 氦离子注入的实验参数 | 第55-56页 |
| 4.1.2 氦离子注入的GIXRD表征 | 第56-59页 |
| 4.1.3 氦离子注入的退火效应 | 第59-61页 |
| 4.2 He、H离子的协同辐照研究 | 第61-65页 |
| 4.2.1 He、H离子的协同辐照的实验参数 | 第61-62页 |
| 4.2.2 He、H离子的协同辐照的GIXRD表征 | 第62-64页 |
| 4.2.3 He、H离子的表面硬度分析 | 第64-65页 |
| 4.3 小结 | 第65-66页 |
| 第五章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
