| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-12页 |
| 1.2 双频等离子体的离子能量分布 | 第12-14页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 实验方法 | 第16-25页 |
| 2.1 双频溅射等离子体实验装置 | 第16-18页 |
| 2.2 等离子体性能分析方法 | 第18-25页 |
| 2.2.1 离子能量的拒斥场能量分析仪测量 | 第18-21页 |
| 2.2.2 等离子体性能的Langmuir探针测量 | 第21-25页 |
| 第三章 双频溅射的离子分布特性 | 第25-38页 |
| 3.12MHz、13.56MHz、27.12MHz、60MHz单频磁控溅射的离子分布特性 | 第25-27页 |
| 3.2 双频磁控溅射的离子渡越鞘层时间τi和τi/τRF比 | 第27-29页 |
| 3.3 τ_l> τ_i> τ_h中间频率区双频磁控溅射的离子分布特性 | 第29-32页 |
| 3.4 τ_i~ τ_l> τ_h和τ_i> τ_l> τ_h高频率区双频磁控溅射的离子分布特性 | 第32-36页 |
| 3.5 频率组合对双频磁控溅射离子分布特性影响的机理分析 | 第36-38页 |
| 第四章 双频溅射的电子分布特性 | 第38-44页 |
| 4.1 双频磁控溅射的电子密度、电子温度特性 | 第38-41页 |
| 4.1.1 电子密度 | 第39-40页 |
| 4.1.2 电子温度 | 第40页 |
| 4.1.3 等离子体电位 | 第40-41页 |
| 4.2 电子能量分布特性 | 第41-44页 |
| 第五章ICP增强的双频溅射等离子体特性 | 第44-51页 |
| 5.1 ICP增强的双频溅射放电离子能量分布特性 | 第44-46页 |
| 5.2 ICP增强的双频溅射放电电子能量分布特性 | 第46-47页 |
| 5.3 ICP增强的双频溅射放电电子密度、电子温度、等离子体电位 | 第47-51页 |
| 第六章 结论 | 第51-53页 |
| 6.1 本文研究的主要结果 | 第51-52页 |
| 6.2 存在的主要问题和进一步的研究方向 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 攻读硕士学位期间公开发表的论文及科研成果 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
