| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 硅（锗）基光电子学的发展概述 | 第11-12页 |
| 1.2 硅（锗）基光电子学研究面临的挑战 | 第12页 |
| 1.3 硅和锗中的电光效应及其在调制器件中的应用 | 第12-24页 |
| 1.3.1 载流子色散效应及其应用 | 第13-18页 |
| 1.3.2 电吸收效应及其应用 | 第18-19页 |
| 1.3.3 Kerr效应 | 第19-20页 |
| 1.3.4 应力诱导的二阶非线性光学效应及其应用 | 第20-23页 |
| 1.3.5 电场诱导的二阶非线性光学效应及其应用 | 第23-24页 |
| 1.4 光整流效应及其应用 | 第24-25页 |
| 1.5 本论文的研究意义 | 第25-26页 |
| 1.6 本论文的主要工作 | 第26-27页 |
| 第2章 硅材料电场诱导的Pockels效应和光整流效应 | 第27-49页 |
| 2.1 非线性光学效应的基本理论 | 第27-32页 |
| 2.1.1 Pockels效应的基本理论 | 第27-30页 |
| 2.1.2 光整流效应的基本理论 | 第30-31页 |
| 2.1.3 Kerr效应的基本理论 | 第31-32页 |
| 2.2 Si(001)晶面表层中电场诱导的Pockels效应的研究 | 第32-40页 |
| 2.2.1 Si(001)晶体结构及其表层对称性 | 第32-34页 |
| 2.2.2 横向电光调制系统及测试原理 | 第34-37页 |
| 2.2.3 Si(001)晶面表层的Pockels效应实验结果 | 第37-40页 |
| 2.3 Si(001)晶面表层中电场诱导的光整流效应研究 | 第40-43页 |
| 2.3.1 光整流效应的实验系统及实验原理 | 第40-41页 |
| 2.3.2 Si(001)晶面表层光整流效应的实验结果 | 第41-43页 |
| 2.4 Si(110)晶面表层中电场诱导的Pockels效应 | 第43-46页 |
| 2.5 Si(110)晶面表层中电场诱导的光整流效应 | 第46-47页 |
| 2.6 小结 | 第47-49页 |
| 第3章 光整流效应在硅表面性质研究中的应用探索 | 第49-67页 |
| 3.1 Si(110)晶体中光整流信号的分布研究 | 第49-57页 |
| 3.1.1 光整流信号沿Si(110)晶面法线方向的分布 | 第49-52页 |
| 3.1.2 不同Si(110)晶面表层中Pockels信号的比较 | 第52-54页 |
| 3.1.3 Si(110)晶面表层中光整流信号分布的理论分析 | 第54-57页 |
| 3.2 Si(001)晶体中光整流信号的分布研究 | 第57-59页 |
| 3.3 Si(001)和Si(110)晶面表层二阶非线性极化率的比较 | 第59-65页 |
| 3.3.1 两个晶面Pockels效应和光整流效应的比较 | 第59-62页 |
| 3.3.2 Si(001)与Si(110)两个样品晶面表层二阶非线性差异的理论分析 | 第62-65页 |
| 3.4 小结 | 第65-67页 |
| 第4章 锗材料电场诱导的光整流效应和Pockels效应 | 第67-77页 |
| 4.1 Ge(001)晶面表层的光整流效应 | 第67-71页 |
| 4.1.1 光整流效应实验的样品及测试系统 | 第67-68页 |
| 4.1.2 Ge(001)晶面表层光整流效应的各向异性 | 第68-69页 |
| 4.1.3 Ge(001)晶面表层中光整流信号沿晶面法线方向的分布 | 第69-71页 |
| 4.2 Ge(110)晶面表层的光整流效应 | 第71-73页 |
| 4.3 Ge(111)晶面表层光整流效应和Pockels效应的初步研究 | 第73-75页 |
| 4.4 小结 | 第75-77页 |
| 第5章 锗材料的Franz-Keldysh效应和载流子色散效应 | 第77-95页 |
| 5.1 研究背景和基本原理 | 第77-80页 |
| 5.2 锗材料的Franz-Keldysh效应 | 第80-82页 |
| 5.3 锗材料的载流子色散效应 | 第82-92页 |
| 5.3.1 N型锗的载流子色散效应 | 第82-88页 |
| 5.3.2 P型锗的载流子色散效应 | 第88-92页 |
| 5.4 N型锗和P型锗载流子色散效应的比较 | 第92-93页 |
| 5.5 小结 | 第93-95页 |
| 第6章 结论 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-113页 |
| 作者简介及在学期间所取得的科研成果 | 第113-115页 |
| 致谢 | 第115页 |
