半导体金属氧化物纳米结构的制备及性能研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 纳米材料的现状及发展 | 第11页 |
| 1.2 金属氧化物半导体纳米材料 | 第11-12页 |
| 1.3 ZnO基本特性和研究进展 | 第12-13页 |
| 1.3.1 ZnO的晶体结构 | 第12页 |
| 1.3.2 纳米ZnO的制备方法 | 第12-13页 |
| 1.3.3 纳米ZnO的性质及研究进展 | 第13页 |
| 1.4 SnO_2基本特性和研究进展 | 第13-15页 |
| 1.4.1 SnO_2的晶体结构 | 第13-14页 |
| 1.4.2 纳米SnO_2的制备方法 | 第14页 |
| 1.4.3 纳米SnO_2性质及研究进展 | 第14-15页 |
| 1.5 气体传感器概述 | 第15-16页 |
| 1.6 本论文的选题依据和研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 ZnO多孔微球的制备及性能研究 | 第17-31页 |
| 2.1 实验部分 | 第17-18页 |
| 2.1.1 化学试剂及设备 | 第17页 |
| 2.1.2 氧化锌多孔微球的表征仪器 | 第17-18页 |
| 2.2 反应时间对ZnO多孔微球的影响 | 第18-20页 |
| 2.2.1 样品的制备 | 第18页 |
| 2.2.2 实验结果与讨论 | 第18-20页 |
| 2.3 反应温度对ZnO多孔微球的影响 | 第20-23页 |
| 2.3.1 样品的制备 | 第20-21页 |
| 2.3.2 实验结果与讨论 | 第21-23页 |
| 2.4 升温速率对ZnO多孔微球的影响 | 第23-25页 |
| 2.4.1 样品的制备 | 第23页 |
| 2.4.2 实验结果与讨论 | 第23-25页 |
| 2.5 掺杂Ce对ZnO多孔微球的影响 | 第25-29页 |
| 2.5.1 样品的制备 | 第25页 |
| 2.5.2 实验结果与讨论 | 第25-29页 |
| 2.6 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 SnO_2的制备及性能研究 | 第31-40页 |
| 3.1 实验部分 | 第31页 |
| 3.1.1 化学试剂及设备 | 第31页 |
| 3.1.2 纳米氧化锡的表征仪器 | 第31页 |
| 3.2 气氛保护条件下制备Pt掺杂SnO_2 | 第31-34页 |
| 3.2.1 样品的制备 | 第31-32页 |
| 3.2.2 实验结果与讨论 | 第32-34页 |
| 3.3 SnO_2量子点的制备 | 第34-36页 |
| 3.3.1 样品的制备 | 第34页 |
| 3.3.2 实验结果与讨论 | 第34-36页 |
| 3.4 沉淀法制备Pd掺杂SnO_2 | 第36-39页 |
| 3.4.1 样品的制备 | 第36-37页 |
| 3.4.2 实验结果与讨论 | 第37-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 结论 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 附录 | 第51页 |
