基于Hf02的阻变存储器缺陷效应的研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 半导体存储器背景及发展 | 第10-14页 |
| 1.2 阻变存储器的背景及研究现状 | 第14-16页 |
| 1.3 本文的主要内容和研究意义 | 第16-18页 |
| 第二章 RRAM的工作原理及本文的研究方法 | 第18-29页 |
| 2.1 RRAM的基本工作原理及分类 | 第18-20页 |
| 2.2 RRAM的阻变机理 | 第20-26页 |
| 2.2.1 电化学金属效应(ECM) | 第21-24页 |
| 2.2.2 氧化物化合价改变效应(VCM) | 第24-25页 |
| 2.2.3 ECM与VCM阻变器件的等价 | 第25-26页 |
| 2.3 本文的研究方法 | 第26-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 HfO_2中金属掺杂物效应的研究 | 第29-44页 |
| 3.1 半导体材料中的缺陷 | 第29-31页 |
| 3.1.1 缺陷的形成 | 第29-30页 |
| 3.1.2 形成能 | 第30-31页 |
| 3.2 HfO_2中金属掺杂物的效应 | 第31-39页 |
| 3.2.1 金属掺杂物的初步分类 | 第31-33页 |
| 3.2.2 间隙式金属掺杂物的阻变效应 | 第33-36页 |
| 3.2.3 替位式金属掺杂物的阻变效应 | 第36-39页 |
| 3.3 金属掺杂物对V_o导电细丝的效应 | 第39-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 HfO_2中氧空位效应的研究 | 第44-57页 |
| 4.1 V_o导电细丝的方向依赖性 | 第44-50页 |
| 4.1.1 不同方向V_o排列体系的建立 | 第44-47页 |
| 4.1.2 V_o导电细丝的最佳方向 | 第47-50页 |
| 4.2 V_o浓度的研究 | 第50-55页 |
| 4.2.1 导电细丝形成的V_o浓度 | 第50-52页 |
| 4.2.2 导电细丝优化的V_o浓度 | 第52-53页 |
| 4.2.3 高V_o浓度分析 | 第53-55页 |
| 4.3 本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-60页 |
| 5.1 工作总结 | 第57-58页 |
| 5.2 工作展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 附图 | 第66-68页 |
| 附表 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第70页 |
