| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第15-41页 |
| 1.1 课题背景与研究意义 | 第15-16页 |
| 1.2 过渡金属硫族化合物 | 第16-21页 |
| 1.2.1 过渡金属硫族化合物结构 | 第16-17页 |
| 1.2.2 过渡金属硫族化合物的器件应用 | 第17-21页 |
| 1.3 二维纳米材料与金属的电接触行为 | 第21-29页 |
| 1.3.1 石墨烯器件的电接触行为 | 第22-25页 |
| 1.3.2 过渡金属硫族化合物电接触行为 | 第25-29页 |
| 1.4 过渡金属硫族化合物范德华异质结构构筑及光电特性 | 第29-36页 |
| 1.4.1 范德华垂直异质结构筑及其光电性能 | 第30-33页 |
| 1.4.2 范德华平面异质结构筑及其光电性能 | 第33-36页 |
| 1.5 过渡金属硫族化合物及其异质结构激子态行为 | 第36-39页 |
| 1.5.1 过渡金属硫族化合物激子态行为 | 第36-37页 |
| 1.5.2 过渡金属硫族化合物异质结构激子态行为 | 第37-39页 |
| 1.6 本文选题意义及主要研究内容 | 第39-41页 |
| 第2章 试验材料及方法 | 第41-46页 |
| 2.1 试验材料及试剂 | 第41页 |
| 2.2 器件制备工艺 | 第41-43页 |
| 2.2.1 MoS_2及WSe_2纳米片剥离 | 第41-42页 |
| 2.2.2 自组装单分子层制备 | 第42页 |
| 2.2.3 MoS_2、WSe_2及相关异质结构器件制备 | 第42-43页 |
| 2.2.4 石墨烯转移工艺 | 第43页 |
| 2.3 试验表征方法 | 第43-46页 |
| 2.3.1 扫描探针显微镜 | 第43-44页 |
| 2.3.2 光学显微镜 | 第44-45页 |
| 2.3.3 拉曼及光致发光光谱仪 | 第45页 |
| 2.3.4 电学性能测试 | 第45页 |
| 2.3.5 接触角测试 | 第45-46页 |
| 第3章 MoS_2纳米片层间电荷屏蔽效应及其载流子浓度调控 | 第46-67页 |
| 3.1 MOS2纳米片层间电荷屏蔽效应研究 | 第46-51页 |
| 3.1.1 MoS_2表面电势随层数的变化规律 | 第46-49页 |
| 3.1.2 不同厚度MoS_2纳米片/Pt接触处电荷转移机制分析 | 第49-51页 |
| 3.2 双层MOS2纳米片载流子浓度调控 | 第51-57页 |
| 3.2.1 栅极电压对双层MoS_2表面电势的影响 | 第51-54页 |
| 3.2.2 双层MoS_2/Pt接触势垒分析 | 第54-57页 |
| 3.3 自组装单分子层调控MoS_2纳米片载流子浓度 | 第57-65页 |
| 3.3.1 自组装单分子层制备及表征 | 第57-60页 |
| 3.3.2 自组装单分子层改性MoS_2的拉曼光谱 | 第60-61页 |
| 3.3.3 自组装单分子层改性MoS_2器件的场效应晶体管性能 | 第61-63页 |
| 3.3.4 自组装单分子层改性MoS_2表面电势变化 | 第63-65页 |
| 3.4 本章小结 | 第65-67页 |
| 第4章 Si/MoS_2垂直异质结与WSe_2/WO_3平面异质结的光电行为 | 第67-89页 |
| 4.1 Si/MOS2垂直异质结构的光电行为 | 第67-78页 |
| 4.1.1 n-Si/MoS_2垂直异质结构筑 | 第67-71页 |
| 4.1.2 n-Si/MoS_2异质结光二极管与光探测特性 | 第71-75页 |
| 4.1.3 p-Si/MoS_2异质结光二极管与光探测特性 | 第75-78页 |
| 4.2 单层-少层WSe_2类肖特基二极管光电行为 | 第78-85页 |
| 4.2.1 少层WSe_2器件的光电特性 | 第78-79页 |
| 4.2.2 单层-少层WSe_2类肖特基二极管构筑 | 第79-80页 |
| 4.2.3 单层-少层WSe_2类肖特基二极管的光探测与光伏特性 | 第80-85页 |
| 4.3 WSe_2/WO_3平面异质结构的光电行为 | 第85-88页 |
| 4.3.1 WSe_2/WO_3平面异质结构筑 | 第85-86页 |
| 4.3.2 WSe_2/WO_3平面异质结的光探测与光伏特性 | 第86-88页 |
| 4.4 本章小结 | 第88-89页 |
| 第5章 MoS_2/石墨烯范德华异质结构激子态行为电化学栅极调控 | 第89-106页 |
| 5.1 MoS_2/石墨烯激子态行为的电化学调控 | 第89-98页 |
| 5.1.1 MoS_2/石墨烯异质结构的构建 | 第89-91页 |
| 5.1.2 栅极电压调控下单层MoS_2/石墨烯异质结构光致发光行为 | 第91-98页 |
| 5.2 MoS_2/SAMS/石墨烯激子态行为研究 | 第98-104页 |
| 5.2.1 单层MoS_2表面自组装单分子层生长及表征 | 第99页 |
| 5.2.2 MoS_2/SAMs隧穿势垒分析 | 第99-101页 |
| 5.2.3 MoS_2/SAMs/石墨烯异质结构光致发光行为 | 第101-104页 |
| 5.3 本章小结 | 第104-106页 |
| 第6章 WSe_2/石墨烯范德华异质结构层间弛豫及层间耦合作用 | 第106-121页 |
| 6.1 单层WSe_2/石墨烯异质结构光致发光行为 | 第106-113页 |
| 6.1.1 单层WSe_2/石墨烯异质结构构筑 | 第106-107页 |
| 6.1.2 单层WSe_2/石墨烯异质结构光致发光栅极电压调控 | 第107-108页 |
| 6.1.3 WSe_2/石墨烯载流子浓度及接触势垒随栅极电压变化规律 | 第108-113页 |
| 6.2 双层WSe_2/石墨烯异质结构光致发光行为 | 第113-117页 |
| 6.2.1 双层WSe_2/石墨烯异质结构光致发光栅极电压调控 | 第113-115页 |
| 6.2.2 WSe_2/MoS_2/石墨烯异质结构光致发光行为 | 第115-117页 |
| 6.3 单层WSe_2/石墨烯异质结构层间耦合作用 | 第117-120页 |
| 6.4 本章小结 | 第120-121页 |
| 结论 | 第121-123页 |
| 参考文献 | 第123-137页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第137-140页 |
| 致谢 | 第140-141页 |
| 个人简历 | 第141页 |
