| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 相关理论基础 | 第12-17页 |
| 1.2.1 减反射层原理 | 第12-13页 |
| 1.2.2 PECVD原理 | 第13-14页 |
| 1.2.3 PID现象原理及危害 | 第14-16页 |
| 1.2.4 PID效应解决措施 | 第16-17页 |
| 1.3 本论文研究目的和内容 | 第17-18页 |
| 第二章 实验材料与方法 | 第18-26页 |
| 2.1 PC1D软件模拟减反射层 | 第18-21页 |
| 2.1.1 PC1D软件介绍 | 第18页 |
| 2.1.2 PC1D软件界面 | 第18-20页 |
| 2.1.3 模拟参数的选择 | 第20-21页 |
| 2.2 实验材料和设备 | 第21-22页 |
| 2.2.1 实验材料 | 第21页 |
| 2.2.2 主要实验设备和相关测试仪器 | 第21-22页 |
| 2.3 实验方案 | 第22-26页 |
| 2.3.1 实验路线 | 第22页 |
| 2.3.2 薄膜的制备技术 | 第22-26页 |
| 第三章 结果与讨论 | 第26-40页 |
| 3.1 PC1D软件模拟分析 | 第26-30页 |
| 3.1.1 减反射层的结构设计 | 第26-27页 |
| 3.1.2 模拟结果 | 第27-30页 |
| 3.2 气体流量对氧化硅、氮化硅、氮氧化硅薄膜厚度及折射率影响 | 第30-34页 |
| 3.2.1 氮化硅薄膜的折射率 | 第30-31页 |
| 3.2.2 氧化硅薄膜的折射率 | 第31-33页 |
| 3.2.3 氮氧化硅薄膜的折射率 | 第33-34页 |
| 3.3 氧化硅/氮化硅/氮氧化硅/氧化硅四层减反膜的设计、制备及特性研究 | 第34-39页 |
| 3.3.1 减反射层的工艺参数 | 第34-35页 |
| 3.3.2 薄膜能谱分析 | 第35-37页 |
| 3.3.3 减反射层反射率分析 | 第37-39页 |
| 3.4 四层减反膜结构的单晶硅太阳电池性能分析 | 第39-40页 |
| 结论 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
| 附录 | 第43-47页 |
| 致谢 | 第47页 |