新型太赫兹BIB探测器工艺技术研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 课题研究的背景和意义 | 第9页 |
| 1.2 国内外研究现状和发展趋势 | 第9-11页 |
| 1.3 本课题研究内容和主要工作 | 第11-13页 |
| 第二章 阻挡杂质带器件工艺技术 | 第13-20页 |
| 2.1 材料工艺技术 | 第13-16页 |
| 2.1.1 气相外延法 | 第13-14页 |
| 2.1.2 液相外延法 | 第14-15页 |
| 2.1.3 金属有机化合物化学气相沉积法 | 第15-16页 |
| 2.2 器件工艺技术 | 第16-19页 |
| 2.2.1 离子注入工艺 | 第16-17页 |
| 2.2.2 光刻工艺 | 第17-18页 |
| 2.2.3 欧姆接触 | 第18-19页 |
| 2.3 本章小结 | 第19-20页 |
| 第三章 阻挡杂质带器件物理基础 | 第20-32页 |
| 3.1 BIB探测器物理结构 | 第20-22页 |
| 3.1.1 吸收层 | 第20-21页 |
| 3.1.2 阻挡层 | 第21-22页 |
| 3.1.3 电极层 | 第22页 |
| 3.2 BIB探测器工作原理 | 第22-24页 |
| 3.2.1 光电导 | 第22页 |
| 3.2.2 BIB探测器 | 第22-24页 |
| 3.3 BIB器件常见结构 | 第24-26页 |
| 3.3.1 层叠型结构 | 第24-26页 |
| 3.3.2 平面型结构 | 第26页 |
| 3.4 BIB探测器内部噪声 | 第26-28页 |
| 3.4.1 热噪声 | 第26-27页 |
| 3.4.2 散粒噪声 | 第27页 |
| 3.4.3 1/f噪声 | 第27页 |
| 3.4.4 产生-复合噪声 | 第27页 |
| 3.4.5 总噪声 | 第27-28页 |
| 3.5 器件性能参数 | 第28-31页 |
| 3.5.1 量子效率 | 第28页 |
| 3.5.2 响应率 | 第28-30页 |
| 3.5.3 噪声等效功率 | 第30页 |
| 3.5.4 探测率 | 第30-31页 |
| 3.6 本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 平面型阻挡杂质带探测器技术研究 | 第32-41页 |
| 4.1 引言 | 第32页 |
| 4.2 GaAs探测器结构设计方案研究 | 第32-36页 |
| 4.2.1 GaAs探测器结构设计 | 第32-33页 |
| 4.2.2 主要参数设计 | 第33-35页 |
| 4.2.3 掩膜版设计 | 第35-36页 |
| 4.3 GaAs探测器制备工艺流程 | 第36-37页 |
| 4.4 离子注入方案分析 | 第37-40页 |
| 4.4.1 吸收层离子注入方案 | 第38-39页 |
| 4.4.2 电极层离子注入方案 | 第39-40页 |
| 4.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 第五章 层叠型阻挡杂质带探测器技术研究 | 第41-55页 |
| 5.1 引言 | 第41页 |
| 5.2 GaAs探测器结构设计方案研究 | 第41-43页 |
| 5.2.1 GaAs外延片结构设计 | 第41-42页 |
| 5.2.2 GaAs探测器结构设计 | 第42-43页 |
| 5.3 关键工艺技术研究 | 第43-52页 |
| 5.3.1 制备欧姆电极 | 第43-46页 |
| 5.3.2 退火工艺 | 第46-47页 |
| 5.3.3 GaAs刻蚀工艺 | 第47-52页 |
| 5.4 GaAs探测器制备工艺流程 | 第52-54页 |
| 5.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 第六章 阻挡杂质带探测器测试技术研究 | 第55-61页 |
| 6.1 黑体响应测试 | 第55-58页 |
| 6.1.1 测试系统 | 第55-56页 |
| 6.1.2 测试结果分析 | 第56-58页 |
| 6.2 光谱响应测试 | 第58-59页 |
| 6.2.1 测试系统 | 第58页 |
| 6.2.2 测试结果分析 | 第58-59页 |
| 6.3 本章小结 | 第59-61页 |
| 第七章 总结与展望 | 第61-62页 |
| 7.1 总结 | 第61页 |
| 7.2 展望 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 附录 | 第67页 |
