| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 1 绪论 | 第11-26页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 薄膜太阳电池吸收层材料的研究现状 | 第12-14页 |
| 1.2.1 硅基薄膜电池材料 | 第12-13页 |
| 1.2.2 Ⅲ‐Ⅴ族化合物薄膜电池材料 | 第13页 |
| 1.2.3 Ⅱ‐Ⅵ族化合物薄膜电池材料 | 第13-14页 |
| 1.2.4 Ⅰ‐Ⅲ‐Ⅵ族化合物薄膜电池材料 | 第14页 |
| 1.3 铜锌锡硫薄膜太阳电池材料 | 第14-24页 |
| 1.3.1 CZTS半导体的晶体结构 | 第14-16页 |
| 1.3.2 CZTS的形成热力学和缺陷特点 | 第16-18页 |
| 1.3.3 CZTS薄膜的制备方法 | 第18-24页 |
| 1.4 本论文的目的、意义和创新性 | 第24-26页 |
| 2 Mo/Cu前驱物薄膜的微观结构与电沉积机理 | 第26-47页 |
| 2.1 引言 | 第26页 |
| 2.2 实验部分 | 第26-28页 |
| 2.3 Cu薄膜的沉积电位及动力学参数 | 第28-32页 |
| 2.4 Cu薄膜的电沉积机理与微观结构 | 第32-39页 |
| 2.5 溶液浓度对薄膜的电沉积机理和微观结构的影响 | 第39-43页 |
| 2.6 有机添加剂对薄膜的电沉积机理和微观结构的影响 | 第43-46页 |
| 2.7 本章小结 | 第46-47页 |
| 3 Mo/Cu/Sn前驱物薄膜的微观结构与电沉积机理 | 第47-64页 |
| 3.1 引言 | 第47页 |
| 3.2 实验部分 | 第47-49页 |
| 3.3 Sn薄膜的沉积电位及动力学参数 | 第49-50页 |
| 3.4 Sn薄膜的电沉积机理 | 第50-52页 |
| 3.5 电沉积时间对薄膜的电沉积机理和微观结构的影响 | 第52-54页 |
| 3.6 溶液浓度对薄膜的电沉积机理和微观结构的影响 | 第54-59页 |
| 3.7 沉积电位对薄膜的电沉积机理和微观结构的影响 | 第59-61页 |
| 3.8 络合剂和有机添加剂对薄膜微观结构的影响 | 第61-63页 |
| 3.9 本章小结 | 第63-64页 |
| 4 Mo/Zn前驱物薄膜的微观结构与电沉积机理 | 第64-80页 |
| 4.1 引言 | 第64页 |
| 4.2 实验部分 | 第64-65页 |
| 4.3 Zn薄膜的沉积电位及动力学参数 | 第65-66页 |
| 4.4 溶液浓度对薄膜的电沉积机理和微观结构的影响 | 第66-72页 |
| 4.5 沉积时间对薄膜微观结构的影响 | 第72-74页 |
| 4.6 络合剂对薄膜微观结构的影响 | 第74-76页 |
| 4.7 有机添加剂对薄膜的沉积机理与微观结构的影响 | 第76-79页 |
| 4.8 本章小结 | 第79-80页 |
| 5 Cu_2ZnSnS_4薄膜的微观结构与硫化机理 | 第80-99页 |
| 5.1 引言 | 第80页 |
| 5.2 实验部分 | 第80-82页 |
| 5.3 Mo/Cu/Sn/Zn前驱物的制备 | 第82-84页 |
| 5.4 前驱物的合金化机理 | 第84-89页 |
| 5.5 前驱物的硫化过程 | 第89-95页 |
| 5.6 前驱物比例对薄膜微观结构的影响 | 第95-98页 |
| 5.7 本章小结 | 第98-99页 |
| 6 总结与展望 | 第99-101页 |
| 参考文献 | 第101-116页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第116页 |
