脉冲调制射频容性耦合SiH4/Ar放电混合模拟
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 低温等离子体 | 第10-12页 |
| 1.1.1 等离子体概述 | 第10-11页 |
| 1.1.2 等离子体研究方法 | 第11页 |
| 1.1.3 射频容性耦合等离子体放电特点 | 第11-12页 |
| 1.2 低温等离子体硅基薄膜沉积技术 | 第12-15页 |
| 1.2.1 等离子体增强化学气相沉积 | 第12-13页 |
| 1.2.2 等离子体硅基薄膜沉积技术 | 第13-15页 |
| 1.3 脉冲调制射频等离子体放电研究 | 第15-22页 |
| 1.3.1 脉冲调制射频应用背景 | 第15-16页 |
| 1.3.2 脉冲调制实验方面研究进展 | 第16-17页 |
| 1.3.3 脉冲调制理论研究进展 | 第17-22页 |
| 1.4 本文内容安排 | 第22-23页 |
| 2 物理模型 | 第23-29页 |
| 2.1 流体/电子蒙特卡罗混合模型 | 第23-24页 |
| 2.2 流体模型 | 第24-26页 |
| 2.3 电子蒙特卡罗模型 | 第26-28页 |
| 2.4 腔室结构 | 第28-29页 |
| 3 脉冲调制SiH_4/Ar混合模型模拟 | 第29-56页 |
| 3.1 占空比对等离子体放电的影响 | 第29-35页 |
| 3.1.1 电子温度、电子密度 | 第29-30页 |
| 3.1.2 电子能量分布、电子反应速率系数 | 第30-32页 |
| 3.1.3 中性基团密度分布 | 第32-34页 |
| 3.1.4 结论 | 第34-35页 |
| 3.2 脉冲频率对等离子体放电的影响 | 第35-40页 |
| 3.2.1 电子能量几率函数 | 第35-37页 |
| 3.2.2 电子温度、电子密度 | 第37-38页 |
| 3.2.3 离子、中性粒子密度 | 第38-39页 |
| 3.2.4 结论 | 第39-40页 |
| 3.3 气压对等离子体放电的影响 | 第40-50页 |
| 3.3.1 电子能量分布、电子能量几率分布 | 第40-42页 |
| 3.3.2 电子温度、电子密度 | 第42-44页 |
| 3.3.3 离子、中性粒子密度 | 第44-48页 |
| 3.3.4 电场、电势变化趋势 | 第48-49页 |
| 3.3.5 结论 | 第49-50页 |
| 3.4 电压对等离子体放电的影响 | 第50-56页 |
| 3.4.1 电子温度、密度分布 | 第50页 |
| 3.4.2 电子能量及能量几率分布 | 第50-53页 |
| 3.4.3 离子、中性粒子密度 | 第53-55页 |
| 3.4.4 结论 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 附录A 附录内容名称 | 第60-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
