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等离子体浸没离子注入介质材料鞘层特性模拟研究

摘要第2-3页
Abstract第3页
1 绪论第6-16页
    1.1 PIII技术及其应用第6-11页
        1.1.1 等离子体浸没离子注入技术第6-9页
        1.1.2 PIII技术的应用第9-11页
    1.2 PIII离子鞘层演化的研究方法第11-14页
        1.2.1 解析方法第11-12页
        1.2.2 流体动力学方法第12-13页
        1.2.3 MC 方法第13页
        1.2.4 PIC 方法第13-14页
    1.3 PIII介质材料鞘层特性模拟研究现状第14-15页
    1.4 本文研究内容第15-16页
2 PIII介质材料鞘层演化的一维流体模型第16-24页
    2.1 鞘层理论第16-17页
    2.2 无碰撞鞘层冷流体力学模型第17-20页
    2.3 碰撞鞘层冷流体力学模型第20-21页
    2.4 二次电子发射效应第21-22页
    2.5 数值求解方法第22-23页
    2.6 本章小结第23-24页
3 模拟结果及讨论第24-43页
    3.1 鞘层内基本物理量的演化第24-29页
    3.2 脉冲参数的影响第29-35页
        3.2.1 脉冲幅值的影响第29-32页
        3.2.2 脉冲上升沿的影响第32-33页
        3.2.3 脉冲下降沿的影响第33-35页
    3.3 介质靶厚度的影响第35-36页
    3.4 气压的影响第36-41页
    3.5 本章小结第41-43页
结论第43-44页
参考文献第44-47页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第47-48页
致谢第48-50页

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