等离子体浸没离子注入介质材料鞘层特性模拟研究
摘要 | 第2-3页 |
Abstract | 第3页 |
1 绪论 | 第6-16页 |
1.1 PIII技术及其应用 | 第6-11页 |
1.1.1 等离子体浸没离子注入技术 | 第6-9页 |
1.1.2 PIII技术的应用 | 第9-11页 |
1.2 PIII离子鞘层演化的研究方法 | 第11-14页 |
1.2.1 解析方法 | 第11-12页 |
1.2.2 流体动力学方法 | 第12-13页 |
1.2.3 MC 方法 | 第13页 |
1.2.4 PIC 方法 | 第13-14页 |
1.3 PIII介质材料鞘层特性模拟研究现状 | 第14-15页 |
1.4 本文研究内容 | 第15-16页 |
2 PIII介质材料鞘层演化的一维流体模型 | 第16-24页 |
2.1 鞘层理论 | 第16-17页 |
2.2 无碰撞鞘层冷流体力学模型 | 第17-20页 |
2.3 碰撞鞘层冷流体力学模型 | 第20-21页 |
2.4 二次电子发射效应 | 第21-22页 |
2.5 数值求解方法 | 第22-23页 |
2.6 本章小结 | 第23-24页 |
3 模拟结果及讨论 | 第24-43页 |
3.1 鞘层内基本物理量的演化 | 第24-29页 |
3.2 脉冲参数的影响 | 第29-35页 |
3.2.1 脉冲幅值的影响 | 第29-32页 |
3.2.2 脉冲上升沿的影响 | 第32-33页 |
3.2.3 脉冲下降沿的影响 | 第33-35页 |
3.3 介质靶厚度的影响 | 第35-36页 |
3.4 气压的影响 | 第36-41页 |
3.5 本章小结 | 第41-43页 |
结论 | 第43-44页 |
参考文献 | 第44-47页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第47-48页 |
致谢 | 第48-50页 |