| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 存储器 | 第10-19页 |
| 1.2.1 存储器的简介 | 第10-12页 |
| 1.2.2 非易失性存储器的分类 | 第12-15页 |
| 1.2.3 有关忆阻存储器的几个重大的发现 | 第15-19页 |
| 1.3 存储器的研究现状与应用挑战 | 第19-20页 |
| 1.4 本论文的研究研究意义 | 第20-22页 |
| 1.4.1γ-Fe_2O_3简介 | 第20页 |
| 1.4.2 研究的意义 | 第20-22页 |
| 第2章 薄膜的制备与薄膜的表征 | 第22-34页 |
| 2.1 纳米材料 | 第22页 |
| 2.2 薄膜的制备 | 第22-28页 |
| 2.2.1 磁控溅射 | 第22-26页 |
| 2.2.2 溶胶-凝胶法 | 第26页 |
| 2.2.3 分子束外延 | 第26-27页 |
| 2.2.4 脉冲激光沉积 | 第27-28页 |
| 2.3 薄膜样品的表征技术 | 第28-34页 |
| 2.3.1 薄膜厚度的测量 | 第28-29页 |
| 2.3.2 薄膜表面形貌的表征 | 第29页 |
| 2.3.3 薄膜成份的测定 | 第29-30页 |
| 2.3.4 薄膜结构的测定 | 第30-31页 |
| 2.3.5 薄膜样品的电学性质的测定 | 第31-34页 |
| 第3章 Pt/γ-Fe_2O_3/Ag薄膜的电阻开关特性 | 第34-54页 |
| 3.1 样品的制备 | 第34-36页 |
| 3.2 样品的表征 | 第36-37页 |
| 3.3 Pt/γ-Fe_2O_3/Ag薄膜样品的电阻开关效应 | 第37-46页 |
| 3.3.1 Pt/γ-Fe_2O_3/Ag薄膜样品的电阻开关特性的测量 | 第37-38页 |
| 3.3.2 电阻开关的结果与讨论 | 第38-42页 |
| 3.3.3 电阻开关的物理机制讨论 | 第42-45页 |
| 3.3.4 小结 | 第45-46页 |
| 3.4 退火温度对Pt/γ-Fe_2O_3/Ag薄膜的电阻开关特性的影响 | 第46-49页 |
| 3.4.1 数据的测量与分析 | 第46-49页 |
| 3.4.2 结论 | 第49页 |
| 3.5 光照对Pt/γ-Fe_2O_3/Ag薄膜电阻开关特性的影响 | 第49-54页 |
| 3.5.1 数据的测量与讨论 | 第49-53页 |
| 3.5.2 小结 | 第53-54页 |
| 第4章 总结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 硕士期间论文发表情况 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
