摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-9页 |
目录 | 第10-14页 |
第1章 绪论 | 第14-32页 |
1.1 课题研究背景及意义 | 第14页 |
1.2 常用非球面加工技术简介 | 第14-20页 |
1.2.1 计算机控制表面成形技术(CCOS) | 第15-16页 |
1.2.2 应力盘抛光技术 | 第16-17页 |
1.2.3 气囊抛光技术 | 第17-18页 |
1.2.4 离子束抛光技术 | 第18-19页 |
1.2.5 磁流变抛光技术 | 第19-20页 |
1.3 磁流变液的研究和应用现状 | 第20-25页 |
1.3.1 磁流变液的发展与应用简介 | 第20-22页 |
1.3.2 磁流变液的研究现状 | 第22-25页 |
1.4 磁流变抛光技术的研究现状 | 第25-30页 |
1.4.1 磁流变抛光原理 | 第25-26页 |
1.4.2 磁流变抛光液的研究现状 | 第26-27页 |
1.4.3 磁流变抛光设备的研究现状 | 第27-28页 |
1.4.4 磁流变抛光的材料去除模型 | 第28-30页 |
1.5 本论文的主要研究内容 | 第30-32页 |
第2章 磁流变抛光液研制及性能测试 | 第32-64页 |
2.1 概述 | 第32页 |
2.2 磁流变抛光液的分散稳定机理 | 第32-36页 |
2.2.1 静电排斥理论—DLVO理论 | 第33-34页 |
2.2.2 空间排斥理论—HVO理论 | 第34-35页 |
2.2.3 磁流变抛光液中铁磁颗粒沉降性问题 | 第35-36页 |
2.3 磁流变抛光液的配制研究 | 第36-48页 |
2.3.1 磁流变抛光液的性能要求 | 第36页 |
2.3.2 磁流变抛光液成分的选择 | 第36-42页 |
2.3.3 磁流变抛光液的配制工艺流程 | 第42-48页 |
2.4 磁流变抛光液的性能检测 | 第48-55页 |
2.4.1 磁流变抛光液的分散稳定性检测 | 第48-50页 |
2.4.2 磁流变抛光液的零磁场粘度检测 | 第50-52页 |
2.4.3 磁流变抛光液的剪切屈服应力检测 | 第52-54页 |
2.4.4 去除函数实验 | 第54-55页 |
2.5 磁流变抛光液的性能优化 | 第55-62页 |
2.5.1 磁流变抛光液的分散体系特性 | 第56-57页 |
2.5.2 絮凝型磁流变抛光液 | 第57-58页 |
2.5.3 去除函数实验 | 第58-62页 |
2.6 本章小结 | 第62-64页 |
第3章 磁流变抛光循环控制系统及其对去除函数的影响 | 第64-86页 |
3.1 概述 | 第64页 |
3.2 磁流变抛光设备主要结构形式 | 第64-68页 |
3.2.1 平置式磁流变抛光结构 | 第64-66页 |
3.2.2 正置式磁流变抛光结构 | 第66-67页 |
3.2.3 倒置式流变抛光结构 | 第67-68页 |
3.3 磁流变抛光循环控制系统 | 第68-73页 |
3.3.1 磁流变抛光设备的主要结构 | 第68-69页 |
3.3.2 循环系统的主要部件 | 第69-72页 |
3.3.3 控制模块的主要部件 | 第72-73页 |
3.4 温度变化对去除函数的影响 | 第73-77页 |
3.4.1 温度变化对粘度的影响 | 第73-74页 |
3.4.2 温度变化对流量的影响 | 第74-75页 |
3.4.3 温度变化对去除函数的影响 | 第75-77页 |
3.5 粘度变化对去除函数的影响 | 第77-81页 |
3.5.1 铁粉颗粒含量对磁流变抛光液粘度的影响 | 第77-79页 |
3.5.2 粘度变化对去除函数的影响 | 第79-81页 |
3.6 去除函数稳定性测试 | 第81-85页 |
3.7 本章小结 | 第85-86页 |
第4章 工艺参数对工件受力和去除函数的影响 | 第86-124页 |
4.1 概述 | 第86页 |
4.2 实验细节描述 | 第86-89页 |
4.2.1 测量设备 | 第87-88页 |
4.2.2 抛光材料 | 第88-89页 |
4.3 压入深度与工件受力和去除函数的关系 | 第89-102页 |
4.3.1 BK7 玻璃 | 第91-96页 |
4.3.2 RB-SiC陶瓷材料 | 第96-101页 |
4.3.3 压入深度h0过大对去除函数的影响 | 第101-102页 |
4.4 抛光液成分对工件受力和去除函数的影响 | 第102-119页 |
4.4.1 铁粉颗粒含量的影响 | 第102-107页 |
4.4.2 铁粉粒径的的影响 | 第107-113页 |
4.4.3 抛光粉含量的影响 | 第113-119页 |
4.5 材料去除效率与工件受力的关系 | 第119-123页 |
4.5.1 正压力和压强与材料去除效率关系 | 第119-121页 |
4.5.2 剪切力和剪切应力与材料去除效率关系 | 第121-123页 |
4.6 本章小结 | 第123-124页 |
第5章 碳化硅及改性硅表面的磁流变抛光 | 第124-149页 |
5.1 概述 | 第124页 |
5.2 碳化硅材料的磁流变抛光 | 第124-126页 |
5.2.1 碳化硅的材料特性 | 第124-125页 |
5.2.2 常用碳化硅材料的比较 | 第125-126页 |
5.3 RB-SiC的磁流变抛光 | 第126-138页 |
5.3.1 RB-SiC的材料去除机理 | 第126-130页 |
5.3.2 RB-SiC的粗糙度 | 第130-133页 |
5.3.3 RB-SiC材料的实际抛光 | 第133-138页 |
5.4 RB-SiC基底改性硅表面的磁流变抛光 | 第138-148页 |
5.4.1 碳化硅材料的改性 | 第138-140页 |
5.4.2 改性硅的磁流变抛光 | 第140-148页 |
5.5 本章小结 | 第148-149页 |
第6章 总结与展望 | 第149-151页 |
6.1 总结 | 第149-150页 |
6.2 论文创新点 | 第150页 |
6.3 工作展望 | 第150-151页 |
参考文献 | 第151-159页 |
在学期间学术成果 | 第159-160页 |
指导教师及作者简介 | 第160-161页 |
致谢 | 第161页 |