| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 前言 | 第11-13页 |
| 第二章 文献综述 | 第13-33页 |
| 2.1 单晶硅的基本力学性质 | 第13-17页 |
| 2.1.1 单晶硅的晶体结构 | 第13页 |
| 2.1.2 单晶硅的硬度 | 第13-14页 |
| 2.1.3 单晶硅的弹性和塑性模量 | 第14-15页 |
| 2.1.4 单晶硅的压痕断裂韧性 | 第15-16页 |
| 2.1.5 杂质对单晶硅的力学性质的影响 | 第16-17页 |
| 2.2 单晶硅中位错的运动 | 第17-20页 |
| 2.2.1 单晶硅中位错的运动机理 | 第17页 |
| 2.2.2 位错滑移的临界切应力 | 第17-18页 |
| 2.2.3 应力与温度对位错运动速率的影响 | 第18-19页 |
| 2.2.4 压痕残余应力作用下位错的运动 | 第19-20页 |
| 2.3 杂质对单晶硅中位错运动的影响 | 第20-25页 |
| 2.3.1 杂质对单晶硅中位错运动的临界切应力的影响 | 第20页 |
| 2.3.2 杂质对单晶硅中位错运动速率的影响 | 第20-23页 |
| 2.3.3 直拉单晶硅中杂质对位错的钉扎作用 | 第23-25页 |
| 2.4 显微拉曼技术在硅材料研究中的应用 | 第25-31页 |
| 2.4.1 拉曼光谱基本原理 | 第25-27页 |
| 2.4.2 拉曼光谱与红外光谱的区别 | 第27-29页 |
| 2.4.3 拉曼光谱技术 | 第29页 |
| 2.4.4 拉曼光谱在硅材料研究中的应用 | 第29-31页 |
| 2.5 本文的研究方向 | 第31-33页 |
| 第三章 实验样品及设备 | 第33-39页 |
| 3.1 实验样品及样品制备 | 第33页 |
| 3.1.1 实验样品 | 第33页 |
| 3.1.2 样品制备和预处理 | 第33页 |
| 3.2 主要实验设备 | 第33-39页 |
| 3.2.1 显微维氏硬度计 | 第33-34页 |
| 3.2.2 热处理炉 | 第34页 |
| 3.2.3 择优腐蚀和光学显微镜 | 第34-35页 |
| 3.2.4 四探针测试系统 | 第35页 |
| 3.2.5 台阶仪 | 第35页 |
| 3.2.6 共聚焦拉曼显微镜 | 第35-39页 |
| 第四章 硼杂质对直拉单晶硅位错运动的影响 | 第39-47页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 实验 | 第39-40页 |
| 4.2.1 实验样品 | 第39-40页 |
| 4.2.2 实验过程 | 第40页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第40-46页 |
| 4.3.1 不同浓度B掺杂硅片在维氏压痕附近的应力分布情况 | 第40-42页 |
| 4.3.2 维氏压痕位错的运动B杂质掺杂浓度间的关系 | 第42-46页 |
| 4.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 维氏压痕残余应力在热处理时的释放 | 第47-53页 |
| 5.1 引言 | 第47页 |
| 5.2 实验 | 第47-48页 |
| 5.2.1 实验样品 | 第47-48页 |
| 5.2.2 实验过程 | 第48页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第48-51页 |
| 5.3.1 位错的滑移在热处理过程中对压痕残余应力的影响 | 第48-50页 |
| 5.3.2 其它因素在热处理过程中对压痕残余应力的影响 | 第50-51页 |
| 5.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第六章 应力预释放对单晶硅片的压痕位错滑移的影响 | 第53-63页 |
| 6.1 引言 | 第53页 |
| 6.2 实验 | 第53-54页 |
| 6.2.1 实验样品 | 第53-54页 |
| 6.2.2 实验过程 | 第54页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第54-60页 |
| 6.3.1 压痕残余应力预释放的表征 | 第54-56页 |
| 6.3.2 压痕残余应力预释放对压痕位错滑移距离的影响 | 第56-57页 |
| 6.3.3 压痕残余应力预释放对压痕位错滑移速度的影响 | 第57-60页 |
| 6.4 本章小结 | 第60-63页 |
| 第七章 总结 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 个人简历 | 第75-77页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第77页 |
